～ ユーザーの視点によるレジスト付着性等欠陥トラブルと解決ノウハウ ～
＊ 本ウェビナーは開催済みです。再開催のご要望があれば、お知らせください。
CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】
開催日時：2021年11月26日（金）10:30～16:30
受 講 料：55,000円（税込） ＊ 資料付
＊メルマガ登録者 49,500円（税込）
＊アカデミック価格 26,400円（税込）
パンフレット
※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
→ https://zoom.us/test
★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。
★ お申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
講 師
河合 晃 氏
国立大学法人 長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻
電子デバイス・フォトニクス工学講座 教授、
研究成果活用企業（大学ベンチャー）アドヒージョン㈱ 代表取締役 兼務
【講師経歴】
三菱電機㈱ ULSI研究所にて10年間勤務し、レジスト開発・試作・量産移管・歩留り・工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度な表面処理技術開発に従事した。
その後、長岡技術科学大学にて勤務し、機能性薄膜、表面界面制御、実装技術、ナノ
デバイスなどの先端分野の研究を実施している。
各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。大学ベンチャー企業として、アドヒージョン㈱ 代表取締役 兼務。企業への技術コンサルティングを推進している。
著書33件、受賞多数、原著論文166報、国際学会124件、特許多数、講演会200回以上、日本接着学会評議員、応用物理学会会員、産学連携・技術コンサルティング実績200社以上
セミナーの趣旨
現在、レジスト材料は、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS等の多くの電子産業分野において、世界市場で実用化されています。その市場規模は、年間1500億円におよび年々拡大しています。その反面、レジスト材料プロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、レジストユーザーの要求も幅広くなり、レジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
本セミナーでは、レジスト材料開発、およびレジスト処理装置関連の技術者、レジストユーザー、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。
セミナー対象者
レジスト材料開発、電子デバイスメーカー、レジスト処理装置、プリント基板関係の技術者、および、初めてレジスト材料を扱う方、レジストを使用して製品・開発を生産する方、レジスト分野の技術指導をする方など、初心者から実務者まで広範囲の方を対象としています。
キーワード
レジスト材料、レジストプロセス、レジスト処理装置、レジスト欠陥、エッチングマスク
セミナーで得られる知識
レジスト開発、レジスト処理装置開発、レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、ユーザー
側での評価手法などが習得できます。
プログラム
※ 適宜休憩が入ります。
（市場競争力、デバイス設計、高品位化、ラインマッチング）
2．リソグラフィプロセスの基礎(これだけは習得しておきたい)
2-1 レジスト材料／プロセスの最適化
（レジスト材料（i線、KrF,ArF,EUV）、プロセスフロー、ポジ型／ネガ型の選択基準、
パターン現像、PEB、TARC/BARC、平坦化）
2-2 露光描画技術の最適化
（露光システム（ステッパー、スキャナー、EUV）、レイリ―の式、解像力、焦点深度、
液浸露光、ペリクル、重ね合わせ技術）
2-3 レジストコントラストで制御する
（光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、
パターン断面形状改善）
2-4 エッチングにおけるレジスト最適化
（プラズマとは、等方性/異方性エッチング、RIE、エッチング残さ、ローディング効果、
選択比、ウェットエッチング、レジスト浸透と膨潤）
2-5 レジスト処理装置の最適化
（HMDS 処理、コーティング、現像、レジスト除去の要点）
2-6 プリント基板、ソルダーレジスト技術
（5G対応プリント基板技術、DFR/メッキプロセス、耐はんだ性）
2-7 シミュレーション技術(効果的な技術予測)
（レジスト形状、ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析）
3．レジストの付着性解析（ウェットプロセス解析の基礎）
3-1 表面エネルギーの分散・極性成分（接触角2液法）
3-2 ドライ中での付着エネルギーWa（Young-Dupreの式）
3-3 ウェット中での拡張エネルギーS（Sパラメータ、円モデル）
4．AFMによるレジスト凝集性解析
4-1 パターン付着性（DPAT法）
4-2 表面硬化層／膜内凝集分布（インデント法）
4-3 パターン弾性率測定（探針変形法）
5．レジスト欠陥・トラブル対策（歩留り向上の最優先対策とは）
5-1 致命欠陥とは
（配線上異物、ショート欠陥、バブル欠陥、塗布ミスト、接触異物）
5-2 レジスト膜欠陥と対策
（ストリーエーション、膜分裂（自己組織化）、乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、
白化、ピンホール、膨れ（ブリスター）、はじき）
5-3 パターン剥離メカニズムとその影響因子とは
（付着促進要因と剥離加速要因、検査用パターン）
5-4 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる
（最適な処理温度と処理時間）
5-5 パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
（アンダーカット形状、応力集中効果、表面硬化層）
5-6 レジスト膜内への酸・アルカリ浸透
（クラウジウス・モソティの式）
5-7 共焦点レーザー顕微鏡（CLSM法）による現像過程の解析
（レジスト溶解挙動とLER制御）
5-8 レジスト膜の応力をin-situ測定する
（減圧処理、応力緩和と発生、溶剤乾燥、拡散モデル）
5-9 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する
（毛細管現象、パターン間メニスカス、エアートンネル）
5-10 パターン熱だれ・変形対策
（樹脂の軟化点、パターン形状依存性）
6．参考資料
・塗膜トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法（測定方法）
7．質疑応答、技術開発および各種トラブル相談
（日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます）