化学品の市場調査、研究開発の支援、マーケット情報の出版

CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】 のご案内

       開催日時:2021年9月16日(木)10:30~16:30 
       受 講 料:55,000円(税込)  * 資料付
          *メルマガ登録者 49,500円(税込)
          *アカデミック価格 26,400円(税込)
         パンフレット

※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
   → https://zoom.us/test
 ★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
 ★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。
 ★ お申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
 
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申込方法

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 2名以上同時申込かつ申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。複数名の受講申込みで、メルマガ登録をされていない方がおられる場合には、メルマガ登録を行ってから、ウェビナー参加を、お申込ください。 → メルマガ登録ページ  ウェビナー参加のお申込は、下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお願いします。
    受講者1 (受講料半額)   FAX申込用紙PDF 
  受講者2 (受講料半額)   FAX申込用紙PDF 
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講 師

 岩室 憲幸 氏  筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授

【講師経歴】
 1998年 博士(工学)(早稲田大学)。富士電機㈱に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
 1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar
 1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
 2009年5月~2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
 2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

【活 動】
 IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2021 組織委員会委員。日経エレクトロニクス パワエレアワード 2020 最優秀賞(2020年)。

【著 書】
 1) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装(科学情報出版㈱)(2019年9月発刊)
 2) SiC/GaN パワーエレクトロニクス普及のポイント(監修)(S&T出版)(2018年1月発刊)
 3) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開(監修)(シーエムシー出版)(2015年6月発刊)
 4) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない- (編集委員)(電気学会)(2008年12月発刊

セミナーの趣旨

 本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。COVID-19前の半導体市況は、WSTS世界半導体市場予測によれば2020年は対前年比約6%増と、2018年から続いていた低迷から脱して市況が上向きつつあった。そのけん引役は、5Gの商用化ならびに自動車の電動化である。4Gから5Gへの進展により、データ通信速度が高速化し扱うデータ量も増加するとなるとデータセンタ内サーバ用電源の需要が増大し、そこにパワー半導体の活躍の場が生まれる。また世界各国で自動車電動化(xEV)が大きく進展しているおり、世界全体でEVやPHV開発が本格化し始めた。サーバ用電源やEV,PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。

セミナー対象者

 パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

セミナーで得られる知識

 データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方。パワーデバイス全体の最新技術動向、Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術、Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

プログラム

      ※ 適宜休憩が入ります。

1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か
  
2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
 2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
 2-2 特性向上への挑戦
 2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
 2-4 最新のMOSFET・IGBT技術:まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
 2-5 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
  
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-2 SiCのSiに対する利点
 3-3 SiC-MOSFETプロセス
 3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
 3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
 3-6 最新SiC-MOSFET技術
  
4.GaNパワーデバイスの現状と課題 
 4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
 4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
 4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
 4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
  
5.高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5-3 ますます重要度を増す
  

 

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        機械・装置

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