CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】 のご案内
開催日時：2021年5月14日（金）10:30～16:30
受 講 料：55,000円（税込） ＊ 資料付
＊メルマガ登録者 49,500円（税込）
＊アカデミック価格 26,400円（税込）
パンフレット
※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
→ https://zoom.us/test
★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。
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お申し込み受付中
申込方法
ウェビナー参加のお申込は、下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお願いします。
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| ＊ 4名以上の受講については、CMCリサーチまでお問い合わせください。 → お問い合わせページ | |||
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| FAX申込用紙PDF | ||
講 師
河合 晃 氏
長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻
電子デバイス・フォトニクス工学 講座 教授
兼 アドヒージョン㈱（研究成果活用企業（大学ベンチャー））代表取締役 博士（工学）
【講師経歴】
三菱電機㈱ ULSI研究所にて10年間勤務し、電子デバイス開発・試作・量産移管・歩留り・工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度な表面処理技術開発に従事した。
その後、長岡技術科学大学にて勤務し、機能性薄膜、表面界面制御、ナノデバイスなどの先端分野の研究を実施している。
各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。
大学ベンチャー企業として、アドヒージョン㈱ 代表取締役 兼務。
著書33件、受賞多数、原著論文166報、国際学会124件、特許多数、講演会 200回以上、日本接着学会評議員、電気学会、応用物理学会会員、産学連携・技術コンサルティング実績 150社以上
セミナーの趣旨
ウェットエッチングは工業的にも歴史が古く、かつ、高周波プリント基板や LSI および液晶デバイスなどの様々な先端分野で主力の加工技術となっています。また、ウェットエッチングは、量産性やコスト性および設備の簡易さに優れており、かつ、エッチングと同時にウェット洗浄も行えるという特長を有しています。しかし、ウェットエッチングには、濡れ性制御、反応性コントロール、界面密着制御、マスク耐性などの様々な要因が関わっており、高精度化のためには、それぞれを最適化することが必要です。近年では、ウェットエッチングによるアンダーカット形状の高精度化が求められています。本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説します。日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に応じます。
セミナー対象者
初心者の方にも分かりやすく解説します。
セミナーで得られる知識
ウェットエッチングの基礎、コントロール要因、形状制御技術
プログラム
※ 適宜休憩が入ります。
・加工技術としての位置づけ（設計値とシフト量）
・基本プロセスフロー（前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄）
・プロセス支配要因（濡れ、律速、反応速度、エッチング機構）
・等方性エッチング（アンダーカット）
・結晶異方性エッチング（結晶方位依存性）
・表面エネルギー理論による界面浸透解析（拡張エネルギーS、円モデル）
・処理装置（液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、
フィルタリング）
2. アンダーカット形状コントロール
・支配要因（界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性）
・形状コントロール（エッチングラインの高精度化）
・高精度形状計測（断面 SEM、定在波法、光干渉法、X 線 CT）
3. プロセスの基礎と最適化要因
3.1 被加工表面の最適化（表面被膜、汚染、欠陥の影響）
・被加工膜の材質依存性（Cu、Al、Si、ガラス、高分子膜）
・表面汚染（大気中放置、自然酸化）
・表面前処理（疎水化および親水化）
3.2 エッチング液
・エッチング液の選定（等方性/異方性）
・エッチングレート（反応律速）
・エッチング液の劣化（物質移動律速）
3.3 エッチングマスク
・マスク剤の選定（レジスト膜、無機膜）
・マスク剤の最適化（マスク形成と高精度化）
・マスクの形状劣化（熱だれ、転写特性）
・マスク内の応力分布と付着強度（応力集中と緩和理論）
・エッチング液の浸透（CLSM 解析）
4. トラブル要因と解決方法（最短の解決のために）
・マスクパターンの剥離（付着エネルギー Wa 及び剥離要因）
・エッチング液の濡れ不良（ピンニング不良）
・エッチング開始点の遅れ（コンタクトラインの VF 変形）
・ホールパターンの気泡詰まり（界面活性剤）
・エッチング表面の荒れ（気泡、異物）
・金属汚染（RCA 洗浄）
・液中酸化（溶存酸素）
・再付着防止（DLVO 理論、ゼータ電位）
・乾燥痕（マランゴニー対流、IPA 蒸気乾燥）
5. 質疑応答
（日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます）