レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎と最新技術動向

　
＊　本ウェビナーは開催済みです。再開催のご要望があれば、お知らせください。

CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】

　　　　　　　開催日時：2021年2月3日（水）10:30～16:30　
　　　　　　　受講料：50,000円 + 税　　＊資料付
　　　　　　　　　　＊メルマガ登録者　45,000 円 + 税
　　　　　　　　　　＊アカデミック価格　24,000 円 + 税
　　　　　　　　　パンフレット

※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
　お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
　　→ https://zoom.us/test
　★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
　★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、2名目は無料、3名目以降はメルマガ価格の半額です。
　★ お申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。

講　師

　遠藤政孝氏　　大阪大学産業科学研究所招聘教授

【講師経歴】
　1983年松下電器産業㈱入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック㈱セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。
　2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト、EUVレジストの研究開発に従事。

【学　会】
　フォトポリマー学会企画委員長、フォトポリマー懇話会企画委員長

【著　書】
　「迫りくるAI時代に向けた半導体製造プロセスの今」（情報機構）[共著]他

セミナーの趣旨

　メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードとなっている。本講演では、これらのデバイスの微細化を支えるレジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。

セミナー対象者

　・本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、新規事業開発担当、企画担当、特許担当、市場アナリストの方
　・これらの職種を希望される学生の方

セミナーで得られる知識

　・レジスト、微細加工用材料の基礎知識
　・リソグラフィの基礎知識・最新技術
　・レジスト、微細加工用材料の要求特性
　・レジスト、微細加工用材料の課題と対策
　・レジスト、微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向

プログラム

　　　　　　※ 適宜休憩が入ります。

1. リソグラフィの基礎
　1.1　露光
　　1.1.1　コンタクト露光
　　1.1.2　ステップ＆リピート露光
　　1.1.3　スキャン露光
　1.2　照明方法
　　1.2.1　斜入射（輪帯）照明
　1.3　マスク
　　1.3.1　位相シフトマスク
　　1.3.2　光近接効果補正（OPC）
　　1.3.3　マスクエラーファクター（MEF）
　1.4　レジストプロセス
　　1.4.1　反射防止プロセス
　　1.4.2　ハードマスクプロセス
　　1.4.3　化学機械研磨（CMP）技術
　1.5　ロードマップ
　　1.5.1　IRDSロードマップ
　　　1.5.1.1　リソグラフィへの要求特性
　　　1.5.1.2　レジスト、微細加工用材料への要求特性
　　1.5.2　微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢

2. レジストの基礎
　2.1　溶解阻害型レジスト
　　2.1.1　g線レジスト
　　2.1.2　i線レジスト
　2.2　化学増幅型レジスト
　　2.2.1　KrFレジスト
　　2.2.2　ArFレジスト
　　2.2.3　化学増幅型レジストの安定化技術

3. レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の最新技術
　3.1　液浸リソグラフィ
　　3.1.1　液浸リソグラフィの基本と課題
　　　3.1.1.1　従来NAレンズでの液浸リソグラフィ
　　　3.1.1.2　高NAレンズでの液浸リソグラフィ
　　3.1.2　液浸リソグラフィ用トップコート
　　3.1.3　液浸リソグラフィ用レジスト
　　　3.1.3.1　液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
　　　3.1.3.2　液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
　3.2　ダブル/マルチパターニング
　　3.2.1　ダブル/マルチパターニングの基本と課題
　　3.2.2　リソーエッチ（LE）プロセス用材料
　　3.2.3　セルフアラインド（SA）プロセス用材料
　3.3　EUVリソグラフィ
　　3.3.1　EUVリソグラフィの基本と課題
　　3.3.2　EUVレジスト
　　　3.3.2.1　EUVレジストの要求特性
　　　3.3.2.2　EUVレジストの設計指針
　　　　3.3.2.2.1　EUVレジスト用ポリマー
　　　　3.3.2.2.2　EUVレジスト用酸発生剤
　　　3.3.2.3　EUVレジストの課題と対策
　　　　3.3.2.3.1　感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　　　3.3.2.3.2　ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　　　3.3.2.4　最新のEUVレジスト
　　　　3.3.2.4.1　分子レジスト
　　　　3.3.2.4.2　ネガレジスト
　　　　3.3.2.4.3　ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
　　　　3.3.2.4.4　無機/メタルレジスト
　3.4　自己組織化（DSA）リソグラフィ
　　3.4.1　自己組織化リソグラフィの基本と課題
　　3.4.2　グラフォエピタキシー用材料
　　3.4.3　ケミカルエピタキシー用材料
　　3.4.4　高χ（カイ）ブロックコポリマー
　　　3.4.4.1　Si含有型ブロックコポリマー
　　　3.4.4.2　有機型ブロックコポリマー
　3.5　ナノインプリントリソグラフィ
　　3.5.1　ナノインプリントリソグラフィの基本と課題
　　3.5.2　加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
　　3.5.3　光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
　　　3.5.3.1　光硬化材料
　　　3.5.3.2　離型剤