~チップレットSiPの基礎とFan Out型パッケージの三次元化を中心に~
* 本ウェビナーは開催済みです。再開催のご要望があれば、お知らせください。
CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】
開催日時:2020年10月8日(木)13:30~16:30
受 講 料:45,000円 + 税 * 資料付
*メルマガ登録者 36,000 円 + 税 20%OFF
*アカデミック価格 24,000 円 + 税
パンフレット
※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
→ https://zoom.us/test
★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
★【メルマガ会員特典】通常の特典(2名目無料,3名目以降半額)は適用外となりますが,定価の20%引きでご参加いただけます。
★ お申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
講 師
江澤 弘和 氏 神奈川工科大学・工学部・非常勤講師
【講師経歴】
1985年に㈱東芝入社後、Siウエーハの高品位化業務を経て、30年以上に亘り半導体デバイスの微細金属プラグや多層配線を中心に、先端半導体デバイスの微細化プロセス開発に従事。並行して、Micro-Bump、再配線、TSV、FOWLP/PLP等の中間領域技術の開発と量産化を推進。
2011年、同社メモリ事業部へ転籍後、フラッシュメモリの低消費電力化開発に従事。
2017年、東芝メモリ㈱へ転出。
2019年9月、同社を定年退職。
現在、神奈川工科大学・工学部・非常勤講師(電気電子材料・電気回路基礎実験)。
1985年、京大院・工・磁性物理学講座・修士課程修了。
2015年、早大院・情報生産システム研究科・先進材料研究室・博士後期課程修了・博士(工学)取得。
【活 動】
日本金属学会、IEEEに所属。
セミナーの趣旨
最新のプロセッサ製品は機能別に分割した複数の異種チップとメモリをSiインタポーザやSiPに集積する”チップレット”構造を採用し始め、モジュール性能向上へ拡張する半導体パッケージの役割の変化が顕在化しています。さらに、パネルレベルパッケージプロセスは既存のパッケージ基板、PCB、LCDパネルの業態の変化を促し、新たなエコシステムを構築しつつあります。本セミナーでは、半導体デバイス集積化の基幹技術であるMicro-Bump、再配線、TSV、FOWLP、三次元デバイス積層のプロセスの基礎を再訪し、再配線の微細化、FOWLP/PLPの三次元化の課題を整理しながら、異種デバイスの三次元集積化を見据えた今後の市場動向と技術動向を展望します。
セミナー対象者
・最近の先端半導体パッケージのプロセス技術に関心のある方
・FOWLP/PLPの開発動向、市場動向に関心のある方
・LCDパネル関連の方
セミナーで得られる知識
・チップレットSiPの基礎になるBump、再配線、TSV、Fan-Outパッケージプロセスの基礎知識
・異種デバイスの三次元集積化プロセスの基礎
・FOPLP市場形成の論点整理と技術課題
・最近の半導体パッケージの役割を理解するための配線階層を横断する視点
プログラム
※ 適宜休憩が入ります。
1.1. 後工程の前工程化
1.2. 中間領域プロセスによる価値創出事例
1.3. チップレットSiP
2. 三次元集積化デバイス形成プロセス技術と最新動向
2.1. 広帯域メモリチップとロジックチップの積層化
a) Logic-on-DRAM SoCデバイス
b) InFO POP
c) 2.5Dインテグレーション
2.2. 中間領域の基幹プロセスの基礎と留意点
a) 再配線形成プロセス
b) マイクロバンプ形成プロセス
c) TSV形成プロセス(via middle, back side via)
2.3. 再配線の微細化の課題
a) 再配線と絶縁樹脂膜の界面
b) 絶縁樹脂膜の平坦化
c) LSIダマシン配線と再配線の構造比較
3. Fan-Out型パッケージプロセス技術と最新動向
3.1. FOWLPプロセスの基礎と留意点
a) Chip FirstとRDL First
b) 再構成モールド樹脂基板の反りとチップシフト
c) プロセスインテグレーション課題
d) FOWLPのコスト構造参考事例
3.2. 三次元FOWLPのThrough Mold Interconnect(TMI)
a) CuピラーTMI
b) 垂直ワイヤーボンドTMI
c) 感光性モールドによるTMIと再配線の一括形成
4. Fan-Out Panel Level Package(FOPLP)の課題
4.1 量産化へ向けて克服すべき課題
4.2 装置開発事例
5. 半導体パッケージの開発動向及び市場動向
5.1 三次元集積化開発の動向
a) Hybrid Panel FOによるメモリ多段積層
b) ウエーハ積層による異種デバイス集積化
c) CoWによる異種デバイス集積化
5.2 最近の市場概観
5.3 今後の商流と事業主体の変化