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CMCリサーチセミナー

　　　　　　　開催日時：2020年6月8日（月）10:30～16:30　
　　　　　　　会　　場：ちよだプラットフォームスクウェア　B1F　　→ 会場へのアクセス　
　　　　　　　　　　　　〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21
　　　　　　　受 講 料：50,000円 + 税　　　　※ 資料・昼食付
　　　　　　　　　　　　　＊ メルマガ登録者は 45,000円 + 税
　　　　　　　　　　　　　＊ アカデミック価格は 24,000円 + 税
　　　　　　　　　　　　パンフレット
　
　★ アカデミック価格：学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
　★ 【メルマガ会員特典】2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、2人目は無料です（1名価格で2名まで参加可能）。また、3名目以降はメルマガ価格の半額です。※ 他の割引と併用はできません。
　★ セミナーお申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。

講　師

　岩室 憲幸 氏　　筑波大学 数理物質系 物理工学域　教授

【講師経歴】
　1998年 博士（工学）（早稲田大学）。富士電機㈱に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. 1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。2009年5月～2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。2013年4月～ 国立大学 法人 筑波大学 教授。現在に至る。

【活　動】
　IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム (ISPSD) 2017 Steering Committee Member。電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞（2011年）。

【著　書】
　1) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装（科学情報出版㈱）（2019年9月発刊）
　2) SiC/GaN パワーエレクトロニクス普及の ポイント（監修）（S&T出版）（2018年1月発刊）
　3) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開（監修）（シーエムシー出版）（2015年6月発刊）
　4) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない－ (編集委員)（電気学会）（2008年12月発刊）

セミナーの趣旨

　本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。近年、世界各国で自動車電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEV,PHV（プラグインハイブリッド車）シフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEVやPHV開発がいよいよ本格化し始めた。EV,PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。SiC/GaNパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。

セミナー対象者

　パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

セミナーで得られる知識

　SiCパワーデバイスの特長と課題。過去30年のパワーデバイス開発の流れ。パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

プログラム

　　※ 適宜休憩が入ります。

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