＊　本セミナーは開催済みです。再開催のご要望があれば、お知らせください。

　　　　　　　　再開催を希望　　　

CMCリサーチセミナー

　　　　　　　開催日時：2018年8月8日（水）10:30～16:30　
　　　　　　　会　　場：ちよだプラットフォームスクウェア　B1F　ミーティングルームR003
　　　　　　　　　　　　〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21　　→ 会場へのアクセス　
　　　　　　　受 講 料：49,000円（税込）　※ 昼食代、資料代含
　　　　　　　　　　　　　＊ メルマガ登録者は 44,000円（税込）
　　　　　　　　　　　　　＊ アカデミック価格は 25,000円（税込）
　　　　　　　　　　　　パンフレット
　
　★ アカデミック価格：学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
　★ 【メルマガ会員特典】2 名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、2人目以降はメルマガ価格の半額です。
　★ セミナーお申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
　

講　師

　岩室憲幸 氏　　筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授

セミナーの趣旨

　本講座では、SiCパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2017年は、電気自動車（EV）の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。SiCパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。

セミナー対象者

　パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

セミナーで得られる知識

　SiCパワーデバイスの特長と課題
　過去30年のパワーデバイス開発の流れ
　パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術
　SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

プログラム

　　※ 適宜休憩が入ります。