☆半導体表面形態制御技術とそのメカニズムについて詳しく解説！ 半導体の高品質化・製造工程の低コスト化に繋がりうる技術を習得できます！
　
こちらは 3/25（水）実施WEBセミナー のアーカイブ（録画）配信です。期間中何度でも視聴できます

R&D支援センターウェビナー【アーカイブ配信】のご案内

　　　　　　　配信開始日：2026年3月26日（木）
　　　　　　　配信終了日：2026年4月2日（木）
　　　　　　　参 加 費：49,500円（税込）

備　考

・こちらは 3/25（水）実施WEBセミナー のアーカイブ（録画）配信です。
・配信開始日以降にセミナー資料（PDF形式）、閲覧用URL（※データの編集は行っておりません）をお送りします。
・セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
　
お申し込み受付中

申込方法

　下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお申込ください。

講　師

早稲田大学 基幹理工学部電子物理システム学科 教授 博士（工学）
乗松　航 氏

【ご専門】
低次元材料

【ご略歴】
　2007年　早稲田大学 博士(工学)
　2007年　名古屋大学 エコトピア科学研究所 研究員
　2008年　名古屋大学 エコトピア科学研究所 助教
　2011年　名古屋大学 大学院工学研究科 助教
　2018年　名古屋大学 大学院工学研究科 准教授
　2023年　早稲田大学 基幹理工学部 教授
https://www.nano.sci.waseda.ac.jp/
https://www.youtube.com/channel/UClgKZeVTJUMc0LPQ3BfJmhg

受講対象・レベル

・SiCを中心とする半導体関連（デバイス、結晶成長など）の研究者・技術者。
・結晶表面のダイナミクスに関する基礎研究者。
・上記に興味のある若手研究者・技術者。　

必要な予備知識

・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。　

習得できる知識

・半導体表面形態制御技術とそのメカニズムを理解できる。
・半導体の高品質化・製造工程の低コスト化に繋がりうる技術を習得できる。　

趣　旨

　半導体デバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素（SiC）でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその0.25 nmが最小単位となる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御が重要である。
　本講演では、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、SiCを用いたグラフェンやカーボンナノチューブの作製、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として大いに注目されている。

プログラム