シリコン半導体・パワー半導体への実用化に向けたCMP技術の最新動向【アーカイブ配信】

★CMPのモニタリング手法から評価手法、微粒子計測などの研究事例、SiC高速研磨事例、半導体におけるCMPの将来展望まで詳解！！
　
こちらは 3/27実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

R&D支援センターウェビナー【アーカイブ配信】のご案内

　　　　　　　配信開始日：2026年3月30日（月）
　　　　　　　配信終了日：2026年4月3日（金）
　　　　　　　参加費：49,500円（税込）

備　考

・こちらは 3/27実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。
・配信開始日までに、セミナー資料はPDFでお送りします。紙媒体では配布しません。セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
・動画のURLはメールでお送りします。
　
お申し込み受付中

申込方法

　下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお申込ください。

　FAX申込用紙PDF　

講　師

九州工業大学　情報工学研究院　知的システム工学研究系
　　　　　　　　　教授　博士（材料科学）　鈴木恵友氏

＜ご専門＞
　半導体プロセス、CMP、材料科学

＜学協会＞
　精密工学会、日本機械学会、応用物理学会,ADMETA

＜ご略歴＞　産総研（Selete棟）にてCMPを担当、材料メーカでCMPの部材開発

受講対象・レベル

・CMP分野に興味がある企業関係者　

習得できる知識

・CMP（シリコン半導体、パワー半導体）の基礎と技術動向　

趣　旨

　セミナーでは最初にCMPの導入経緯から量産における問題点など幅広い観点で解説する。セミナーの前半部分では、最初にシリコン半導体を中心に共同研究で実施してきた内容について紹介する。ここではCMPのモニタリング手法や光学的フーリエ解析を用いたポリシングパッドの評価手法、低屈折率透明パッドによる微粒子計測などの研究事例を取り上げる。後半部分は水酸化フラーレンやインプラ法によるSiC高速研磨事例について取り上げる。最後に半導体におけるCMPの将来展望について解説する。

　※事前質問があれば申し込みフォームコメント欄にご記入下さい。開示できる範囲で説明します。

プログラム

1．CMP技術が導入背景
　1-1．平坦化手法としてのCMPの導入
　1-2．リソグラフィーとCMPスペックとの関係
　1-3．ダマシン法におけるCMPの適用
　1-4．研磨レートの考え方
　1-5．ディッシング・エロージョンの問題
　1-6．STI-CMPへの適用事例
　1-7．Cu―CMPにおける選択比の考え方

2．CMP装置の概要パワー半導体とシリコン半導体の違い
　2-1．研磨レートの大幅な違い
　2-2．装置構成
　2-3．スラリーについて
　2-4．ポリシングパッドについて
　2-5．シリコン半導体での適用例
　2-6．パワー半導体の適用例
　2-7．まとめ

3．シリコン半導体に関する研究事例
　3-1．CMPモニタリング手法について（モアレ検出法の導入）
　3-2．ポリシングパッドの表面モニタリング
　3-3．低屈折立透明パッドを適用したスラリー開発
　3-4．材料除去メカニズムの考案

4．パワー半導体に関する研究事例
　4-1．ハワー半導体の研究動向
　4-2．ハイブリッド微粒子による高速研磨
　4-3．水酸化フラーレンによるサファイア・SiC研磨の表面の平滑化
　4-4．イオンインプラ法を適用したSiCの高速研磨手法の提案

5．CMPの将来展望について
　　