～大口径・高品質・低コストを実現するウェハ製造技術へ～
★SiCパワー半導体の社会実装の状況やSiCウェハ製造技術の開発動向、課題、産業動向まで分かりやすく解説！
　
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
※【LIVE配信】はリアルタイムのご参加のみとなり、見逃し配信はございません。

R&D支援センターウェビナーのご案内

　　　　　　　開催日時：2026年3月27日（金）10:30～16:30
　　　　　　　開催場所：【WEB限定セミナー】※ 会社やご自宅でご受講ください。
　　　　　　　参 加 費：55,000円（税込）

定　員

　30名

備　考

———-【当日のテキスト資料について】———-
・資料付（紙媒体での配布）※データの配布はありません。
・ご自宅への送付を希望の方は送付先住所をお知らせください。
　⇒お届け先のご指定がない場合は、お申し込み時の住所宛に送付いたします。

———-【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】———-
1）Zoomを使用されたことがない方は、 こちら からミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについては こちら をご覧ください。
3）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

———-【注意事項】———-
・セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
　
お申し込み受付中

申込方法

　下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお申込ください。

講　師

（国研）産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
　　研究チーム長 博士（工学） 　加藤 智久 氏

【ご専門】
ワイドギャップ半導体バルク単結晶成長、ウェハ加工技術、X線結晶学、鉱物学

受講対象・レベル

・SiCパワー半導体やSiC材料開発に興味のある方、結晶工学・ウェハ加工技術・材料評価技術に関心のある方　

必要な予備知識

・特に予備知識は必要ありません。　

習得できる知識

・半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、加工、評価）の基礎知識。
・近年のSiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題、SiCウェハ産業の今後の動向に関する情報。　

趣　旨

　次世代の省エネルギー電力制御機器としてEVや鉄道など社会実装が進むSiCパワー半導体。SiCウェハも8インチが量産品となり、中国を筆頭に１２インチの試作も進んでいる。一方、化学的・機械的に極めて安定なSiCは、ウェハ製造もシリコンより難しい側面もある。本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する基礎から応用、最新の開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術の議論と共に、当該分野の国際競争力強化について検討する。

プログラム