S&T出版ウェビナーのご案内

　　　　　　　開催日時：2026年1月29日（木） 13:00～16:30
　　　　　　　受 講 料：46,200円（税込）　※ 資料付
　　　　　　　会　　場：【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。　

備　考

配付資料について
本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)で配布予定です。
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＜Webセミナーのご説明＞
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
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申込方法

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講　師

田中 敦之 氏
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授
　
＜講師略歴＞
略歴
2003年　東京工業大学工学部卒
2008年　東京工業大学大学院　理工学研究科修了　
　　　　　シリコン量子ドットの研究で博士（工学）取得
　　　　 富士電機株式会社入社
2010年　産業技術総合研究所に出向しSiCパワーデバイスの研究・量産技術開発に従事
　　　　　主に結晶欠陥のデバイスへの影響解明と欠陥の評価手法に関する研究を行う
2015年　国立大学法人　名古屋大学に転職
　　　　　GaNのパワーデバイスの研究に従事

専門
SiC、GaNの結晶欠陥評価、加工、パワーデバイス設計、プロセス開発

セミナーの趣旨

　GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。本講演ではそんなGaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。

プログラム