S&T出版ウェビナーのご案内
開催日時：2024年7月17日（水）13:00～16:30
受 講 料：46,200円（税込） ※ 資料付
会 場：【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。
備 考
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本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
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講 師
田中 敦之 氏
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 特任准教授
＜講師略歴＞
略歴
2003年 東京工業大学工学部卒
2008年 東京工業大学大学院 理工学研究科修了
シリコン量子ドットの研究で博士（工学）取得
富士電機株式会社入社
2010年 産業技術総合研究所に出向しSiCパワーデバイスの研究・量産技術開発に従事
主に結晶欠陥のデバイスへの影響解明と欠陥の評価手法に関する研究を行う
2015年 国立大学法人 名古屋大学に転職
GaNのパワーデバイスの研究に従事
専門
SiC、GaNの結晶欠陥評価、加工、パワーデバイス設計、プロセス開発
セミナーの趣旨
GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、なくてはならないものとして利用されている。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、既に実用化されているSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされている。本講演ではそんなGaNを用いたパワーデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。
プログラム
1-1 GaNについて
1-2 これまでのGaNの利用分野
1-3 パワー半導体材料としてのGaN
2. GaNウェハについて
2-1 ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
2-2 様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
2-3 GaN基板のラインナップの現状
2-4 加工技術
2-5 基板・結晶評価技術
3. GaNパワーデバイス作製プロセスについて
3-1 GaN結晶と半導体プロセス
3-2 デバイス層結晶成長方法
3-3 イオン注入について
3-4 ゲート絶縁膜について
3-5 ドライエッチングとウェットエッチング
4. GaNパワーデバイス
4-1 デバイス設計と設計パラメータ
4-2 GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
4-3 GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
4-4 既に実用化されているGaNパワーデバイスとその用途
4-5 国際学会でのGaNパワーデバイスの傾向
4-6 GaNパワーデバイスの信頼性、結晶欠陥の影響
5. まとめと今後の展望
※講演内容は変更されることがあります。