※ 本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。

R&D支援センターウェビナー

　　　　　　　開催日時：2023年8月22日（火）10:30～16:30
　　　　　　　開催場所：【WEB限定セミナー】※ 会社やご自宅でご受講ください。
　　　　　　　参 加 費：55,000円（税込）

定　員

　30名

備　考

資料付き【郵送します】

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1）Zoomを使用されたことがない方は、 こちら からミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについては こちら をご覧ください。
3）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
　無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

講　師

　東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授
　霜垣 幸浩 氏

【専門】
反応工学・材料工学

【主な研究内容】
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発

【活動】
・1984年から現在に至るまで，CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
・2007年より，化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として，CVD関連技術の普及・発展に寄与
・2014年開催ALD国際学会実行委員長

受講対象・レベル

　CVD/ALDに関連する技術者

習得できる知識

・CVD/ALD法の基礎
・CVD/ALD薄膜形成プロセスの開発
・CVD/ALD薄膜形成プロセスの解析能力　

趣　旨

　Atomic Layer Deposition (ALD、原子層堆積法) による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition (CVD、気相薄膜形成法) と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
　このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

プログラム