S&T出版セミナー
開催日時:2023年6月13日(火)10:30~16:30
受 講 料:55,000円(税込) ※ 資料付
会 場:【東京会場+Webセミナー】
会場参加:AP秋葉原 1F Oルーム,Web参加:ご自宅・会社等
東京都台東区秋葉原1-1 秋葉原ビジネスセンター(会場住所)
備 考
【会場参加】
場所:AP秋葉原 1F Oルーム
東京都台東区秋葉原1-1 秋葉原ビジネスセンター
定員:18名(申込先着順)
【Webセミナー参加】
Zoomウェビナーでの参加になります。
質問は会場参加の方優先ですので、講師に直接相談したい方は会場にご参加ください。
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※ 受講形式の変更は、開催日前日から起算して8営業日(土日祝日は休日)前の16時までの弊社連絡受領分までです。それ以降の変更は致しかねます。
<禁止事項>
セミナで共有・公開・配布される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。
講 師
門田 道雄 氏
東北大学 大学院工学研究科 ロボティクス専攻 シニアリサーチフェロー
東北大学工学研究科終了後、1974年村田製作所入社。1994 年東北大学より工学博士(論文)。2005年同社フェロー(役員待遇)。2013年1月同社退職。同年2月東北大学客員教授、2014年8月同特任教授。2018年4月同シニアリサーチフェロー。村田製作所在職時、世界で唯一実用化に成功した酸化亜鉛(ZnO)薄膜を用いたテレビ用弾性表面波(SAW)フィルタをはじめ(この成功がなければ今の村田製作所のSAWの事業はないという重要な実用化成功)、横波型SAWの端面反射を利用した超小型ETC用フィルタ(今でもシェア100%)及びTV用補助トラップ共振子、高密度電極と水晶を用いた温度特性良好で超小型な携帯電話用IFフィルタ、平坦化SiO2膜/高密度電極/圧電基板構造の温度特性(いわゆるTCSAW)の良好な小型なスマートフォン用SAWデュプレクサ(このデュプレクサはその後同業にもクロスライセンスされ、世界の同業でも数多く生産されている)等、世界初の数多くの各種弾性表面波デバイスの開発と実用化に成功。また近年、注目され始めた板波の1種のラム波(XBARと名を変えて呼んでいるグループもある)については、15年前にいち早く注目し、世界で初めてラム波で5 GHz以上のデバイスを実現した。その論文は2010年度のIEEE UFFC transactionの最優秀論文に選ばれており、また、近年のラム波の論文のほとんどに引用されている。東北大に異動後は、圧電薄板と水晶基板を用いた高Q、ゼロTCF,スプリアスフリーのデバイスに開発のほか、電極を基板内に埋め込むことによる8.2 GHzの3次高調波SAWの励振や圧電基板と従来の1/5厚の多層膜からなる構造で9.5 GHzの3次の高次モードのBAWの励振に成功している。
受賞歴
1) 第41回大河内記念技術賞受賞:
“TV・VTR用酸化亜鉛圧電薄膜弾性表面波デバイス(フィルタ)の量産化”,1995年3月
2) 科学技術庁長官賞研究功績者賞,1997年4月
3) 第50回大河内記念技術賞受賞:
“横波(SH)型弾性表面波を用いた超小型中間周波数用フィルタの開発と実用化”,2004年3月
4) 紫綬褒章叙勲:2005年5月
5) 秋の園遊会列席:2005年10月
6) IEEEフェロー:
“Contributions to surface acoustic wave devices”, 2009年1月
7) 第43回市村産業賞本賞:
“平坦化SiO2膜/Cu(高密度)電極/基板構造小型弾性表面波デュプレクサ”,2011年4月
8) 電子情報通信学会 フェロー:
“弾性表面波デバイスの先駆的研究開発”,2011年9月
9) Outstanding Paper Award of IEEE trans. Ultrason. Ferroelec. Freq. Cont. in 2010 :
“High Frequency Lamb Wave Device composed of MEMS Structure using LiNbO3 Thin Film and Air Gap”, Oct., 2011.
10) 第58回大河内記念技術賞:
“温度特性に優れた超小型弾性表面波デュプレクサの開発と実用化”,2012年3月
11) 平成25年度全国発明表彰 朝日新聞社賞
“温度特性の良い携帯電話用弾性表面波フィルタの発明”,2013年6月
セミナーの趣旨
講演者は、村田製作所入社後、圧電セラミックを用いたエネルギー閉じ込め型バルク波共振子・フィルタ(BAW)の開発やSAWフィルタの開発を担当。テレビ・映像中間周波数用SAWフィルタの開発後には、その実用化のため11年間、製造現場に従事して、世界で唯一その実用化に成功した。その後、異動した開発部門では、横波型SAWの端面反射を利用した超小型ETC用フィルタ(今でもシェア100%)及びTV用補助トラップ共振子、高密度電極と水晶を用いた温度特性良好で超小型な携帯電話用IFフィルタ、平坦化SiO2膜/高密度電極/圧電基板構造の温度特性(いわゆるTCSAW)の良好な小型なスマートフォン用SAWデュプレクサ(このデュプレクサはその後同業にもクロスライセンスされ、世界の同業でも数多く生産されている)等、世界初の数多くの各種弾性表面波デバイスの開発と実用化に成功。また近年、注目され始めた板波の1種のラム波(XBARと名を変えて呼んでいつグループもある)については、15年前にいち早く注目し、世界で初めてラム波で5 GHz以上のデバイスを実現した。その論文は2010年度のIEEE UFFC transactionの最優秀論文に選ばれており、また、近年のラム波の論文のほとんどに引用されている。東北大に異動後は、圧電薄板と水晶基板を用いた高Q、ゼロTCF,スプリアスフリーのデバイスに開発のほか、電極を基板内に埋め込むことによる8.2 GHzの3次高調波SAWの励振や圧電基板と従来の1/5厚の多層膜からなる構造で9.5 GHzの3次の高次モードのBAWの励振に成功している。
本講演者は、このように、TV用SAWフィルタのSAWの研究の黎明期から現在に至るまで、SAWの開発・実用化・製造に取り組んできている。これらの経験を活かし、弾性体や圧電体の基本的な考え方・理論、BAWやSAWの原理、BAWやSAWの種類や励振方法、それらに適した材料、それらを応用したBAWやSAW共振子、ラダーフィルタへの原理・構成方法、実用化成功の秘訣、今後のBAWやSAWの技術の動向などについて講演する。
プログラム
1-1 音波
1-2 弾性体の結晶構造
1-3 歪と応力の関係
1-4 弾性定数
(スティフネス、コンプライアンス、(ポアソン比、ヤング率))
1-5 運動方程式
1-6 弾性体の縦波音速、横波音速は何に依存している、どのように求める
2. 圧電体とは
2-1 圧電現象
2-2 圧電方程式(圧電定数)
2-3 結晶構造のおける圧電定数の違い
2-4 電気機械結合係数
3. BAWとFBAR
3-1 バルク波(BAW)とは
3-2 厚みすべり振動とは
3-3 厚み縦振動とは
3-4 FBAR用材料
3-5 成膜方法
3-6 BAWやFBARの厚み振動共振子の周波数は何で決まる
3-7 厚み振動共振子の帯域は何で決まる
3-8 エネルギー閉じ込め振動とは
3-9 キャビティ構造とSMRの違いは
4. 共振子とラダーフィルタ
4-1 共振子
4-2 ネットワークアナライザによる共振子特性の測定
4-3 スミスチャート、動アドミタンス特性
4-4 共振周波数、反共振周波数とは
4-5 電気機械結合係数
4-6 Qとは
4-7 等価回路
4-8 2重モードフィルタとは
4-9 ラダーフィルタとは
4-10 フィルタの帯域は
4-11 帯域は何に依存する
4-12 高周波化するには
5. SAW
5-1 SAWとは
5-2 SAWとBAWの違い
5-3 SAWの励振
5-4 SAWの種類
5-5 レイリー波
5-6 漏洩弾性波
5-7 縦波型漏洩弾性波
5-8 セザワ波
5-9 BGS波
5-10 ラブ波
5-11 層状構造弾性波
5-12 境界波
6. 板波
6-1 板波とBAWやSAWとの違いは
6-2 ラム波と横波型(SH型)板波
6-3 LiNbO3やLiTaO3薄膜を用いたデバイスの例
7. SAWの解析方法
7-1 Campbell-Joneの方法
7-2 パワーフロー角
8. SAW用材料
8-1 セラミック(PZT等)
8-2 薄膜(ZnO等)
8-3 単結晶(LiTaO3、LiNbO3、水晶、LBO、ランガサイト等)
9. SAW共振子
9-1 SAW共振子の原理
10. SAWフィルタの種類
10-1 トランスバーサル型フィルタ
10-2 縦波型共振子フィルタ
10-3 横波型共振子フィルタ
10-4 ラダーフィルタ
11. 近年話題のSAWデバイス
11-1 近年要求される特性(温度特性、高Q、スプリアス等)
11-2 異種材料基板を組み合わせたSAWデバイス
11-2-1 異種基板を組み合わせた温度特性の良好なSAWデバイス
11-2-2 異種基板とを組み合わせた高QなSAWデバイス
11-3 広帯域弾性波デバイス
11-3-1 空洞型板波
11-3-2 音響多層膜構造SAWデバイス
11-4 高周波弾性波デバイス
11-4-1 高次モードを利用したSAWデバイス
11-4-2 空洞型板波
11-4-3 音響多層膜構造SAWデバイス
11-4-4 高調波SAW(8.2 GHz SAW)
12. 単結晶を用いたBAWデバイス
12-1 空洞型BAWデバイス
12-1-1 LN薄板BAW
12-1-2 LT薄板BAW
12-2 音響多層膜構造BAWデバイス
12-2-1 LN音響多層膜構造
12-2-2 LT音響多層膜構造
12-3 高周波音響多層膜構造BAWデバイス(7- 9.5 GHzBAW)
13. 実用化例
質疑応答(会場参加者優先)・時間がある場合個別相談(会場参加者のみ)