半導体製造プロセスにおけるドライエッチングの基礎・最新技術動向【アーカイブ配信】

― 装置・反応メカニズムから形状制御・ALE技術まで ―
⭐FinFET・GAA世代やポストスケーリング世代を見据え、半導体デバイスのエッチング加工技術、ALE技術の応用、および製造装置技術を解説
　
こちらは2/13実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。期間中何度でも視聴できます
LIVE配信の視聴を希望される方は、こちらからお申し込み下さい。

R&D支援センターウェビナー【アーカイブ配信】のご案内

　　　　　　　配信開始日：2026年2月16日（月）
　　　　　　　配信終了日：2026年2月27日（金）
　　　　　　　参加費：49,500円（税込）

備　考

・こちらは 2/13（金）実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。
・配信開始日までにセミナー資料、閲覧用URLをお送りします。
・セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
　
お申し込み受付中

申込方法

　下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお申込ください。

　FAX申込用紙PDF　

講　師

（株）日立ハイテク　ナノテクノロジーソリューション事業統括本部
主管技師長　工学博士　伊澤　勝　氏

【専門】
半導体プラズマエッチング技術

【略歴】
2007年　ドライプロセス国際シンポジウム　論文委員長　（電気学会）
2011年～2012年　ドライプロセス国際シンポジウム　組織委員長
2019年～　SSDM組織委員

受講対象・レベル

　半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカ、装置メーカ、半導体材料メーカの方など。

必要な予備知識

　半導体製造プロセスに関する一般的な知識

習得できる知識

・プラズマエッチングの反応メカニズムとその装置実装について理解できる
・ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向が理解できる
・縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術が理解できる　

趣　旨

　半導体デバイスの微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチングはその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング装置の概要、および表面反応モデルをベースにしたエッチング反応のメカニズムについて解説する。さらにその応用例として形状制御(寸法ばらつき、ラフネス)や装置への実装等ついて説明する。先端分野への取り組みとして、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工技術およびALE(Atomic Layer etching)技術の応用、製造装置としての技術にについて解説する。