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~半導体用レジスト技術の基礎から解説~
 
☆☆☆ Web配信セミナー ☆☆☆
☆☆☆ 本セミナーは、Zoomを使用して、行います。☆☆☆

トリケップスセミナー

 開催日時:2024年6月12日(水)10:30~16:30
 参 加 費:お1人様受講の場合 53,900円(税込/1名)
     1口(1社3名まで受講可能)でお申し込みの場合 66,000円(税込/1口)

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講 師

堀邊 英夫(ほりべひでお)氏
大阪公立大学大学院 工学研究科 物質化学生命系専攻 化学バイオ工学分野
高分子化学研究室 教授(博士(工学))

<学職歴>
1985年 京都大学 工学部 合成化学科 卒業
1985年 三菱電機㈱ 先端技術総合研究所 研究員/主任研究員/主席研究員
1997年 博士(工学)(大阪大学)「化学増幅ポジ型三成分系電子線レジストの設計と開発」
2003年 高知工業高等専門学校 物質工学科 助教授
2007年 金沢工業大学 バイオ・化学部 応用化学科 教授
2013年 大阪市立大学大学院 工学研究科 化学生物系専攻 教授(~2021年)
2014年 大阪市立大学 産学官連携本部 新産業創生研究センター 所長(~2017年)
2017年 大阪市立大学大学院 工学研究科 化学生物系専攻 専攻長(~2018年) 
2022年 大阪公立大学大学院 工学研究科 物質化学生命系専攻 教授(現在に至る)
2022年 大阪公立大学 学長特別補佐、基金推進室長(現在に至る)

 2007年 大阪大学 招聘教授(兼) (現在に至る)、2015年 東北大学 客員教授(兼)(~2016年)、2016年 兵庫県立大学 客員教授(兼)(~2022年)、2016年 大阪工業大学 客員教授(兼)(~2019年)、2017年 高知工科大学 客員教授(兼)(現在に至る)、2017年 金沢大学 客員教授(兼)(現在に至る)、2018年 東京農工大学 客員教授(兼)(~2022年)、2021年 東北大学 特任教授(兼)(現在に至る)、2021年 広島大学 客員教授(兼)(~2022年)

<表 彰>
 第46回化学技術賞(1995年)、第14回平賀源内大賞(2007年)、第11回プラズマエレクトロニクス賞(Plasma Electronics Award) (2013年)、平成28年度ONSA賞(2017年)、第65回電気科学技術奨励賞(2017年)、等

<学会、等>
 高分子学会、応用物理学会、日本放射線化学会、電気材料技術懇談会、関西コンバーティングものづくり研究会、Cat-CVD研究会(日本放射線化学会常務理事、関西コンバーティングものづくり研究会会長、応用物理学会代議員、高分子学会北陸支部講演会実行委員・プログラム委員、電気学会論文委員、NEDOレビュアー、科研費審査委員、三菱電機外部評価委員長など)

<専 門>
 高分子物性(レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性、フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御)

セミナーの概要

 半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製(レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
 本講演では、特にレジスト材料(感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分(ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤)ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

講義項目

 1 感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
  1.1 感光性レジストとは?
  1.2 リソグラフィーについて
  1.3 フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク(PEB)、現像工程の概要
  
 2 レジスト設計の変遷とその作用メカニズ
  2.1 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
  2.2 レジストの基本原理
  2.3 レジストの現像特性
  
 3 ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
  3.1 レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
  3.2 ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
  3.3 ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
  3.4 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
  3.5 ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
  
 4 化学増幅ポジ型レジストの材料設計
  4.1 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
   4.1.1 ベース樹脂
   4.1.2 溶解抑制剤
   4.1.3 酸発生剤
  4.2 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
  4.3 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
  4.4 EUVレジストへの展開
  4.5 i線厚膜レジストへの展開