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~ 薄膜形成の原理から、最新の応用展開の状況まで ~

CMCリサーチセミナーのご案内

       開催日時:2019年7月11日(木)10:30~16:30 
       会  場:ちよだプラットフォームスクウェア 地下1F ミーティングルーム002
            〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21  → 会場へのアクセス 
       受 講 料:50,000円(税込) ※ 昼食代・資料代含
             * メルマガ登録者は 45,000円(税込)
             * アカデミック価格は 15,000円(税込)
            パンフレット
 
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講 師

 霜垣 幸浩 氏  東京大学大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授

【講師略歴】
 1989年 東京大学 工学部 化学工学科 助手
 1991年 東京大学 工学部 化学工学科 講師
 1997年 東京大学 大学院 化学システム工学専攻 助教授
 1998年 東京大学 大学院 金属工学専攻 助教授
 2001年 東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 助教授 (改組)
 2011年 東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 教授
 1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
 2007年より,化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
 2014年 開催 ALD国際学会実行委員長

セミナーの趣旨

 Atomic Layer Deposition(ALD、原子層堆積法)による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition(CVD、気相薄膜形成法)と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
 このため、本講座では、第1部で各種の薄膜作成の基礎を概説、第2部でALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、第3部ではALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

セミナー対象者

 CVD/ALD法を基礎から学びたい研究者・技術者
 エッチングへの応用としてのALEtに興味のある、研究者・技術者

セミナーで得られる知識

 ・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
 ・前記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発
 ・解析能力・エッチングへの応用としてALEt

プログラム

  ※ 適宜休憩が入ります。

第1部 薄膜作成の基礎
1 薄膜作製プロセス概論

 1.1 薄膜の種類と用途:ULSI,MEMS,太陽電池,LED/LD
 1.2 ウェットプロセスとドライプロセス,PVDとCVD
 1.3 CVDプロセスの特徴
 1.4 半導体デバイス,高集積化・微細化とALD技術

2 真空の基礎知識と薄膜形成の基礎
 2.1 真空蒸着
 2.2 真空度・真空の質,平均自由行程
 2.3 各種PVD技術

3 CVD/ALDプロセス概論
 3.1 CVDプロセスの原理と特徴,応用例
 3.2 ALDプロセスの原理と歴史的展開
 3.3 ALDプロセスの特徴と応用・発展
 3.4 ALEtプロセスの原理と特徴

第2部 ALD/CVD反応機構と速度論
1 ALDの基礎としてのCVDプロセス入門

 1.1 CVDプロセスの素課程
 1.2 CVDプロセスの速度論
  1.2.1 製膜速度の温度依存性,表面反応律速と拡散律速
  1.2.2 製膜速度の濃度依存性,1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
 1.3 CVDプロセスの均一性

2 表面・気相の反応機構解析入門
 2.1 素反応機構と総括反応機構
 2.2 気相反応の第一原理計算と精度
 2.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析

第3部 ALDプロセスの基礎と展開
1 ALDプロセスの基礎

 1.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
 1.2 ALDプロセスの理想と現実

2 ALDプロセスの展開と応用
 2.1 ALDプロセスの応用用途
 2.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
 2.3 HW-ALDによる高品質Ni薄膜の合成
 2.4 ALD-Co(W)/CVD-Cu(Mn)による高信頼性ULSI配線形成

まとめ <質疑応答>

※ プログラムは若干変更になる可能性があります。ご了承下さい。
 

 

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