化学品の市場調査、研究開発の支援、マーケット情報の出版

S&T出版ウェビナー

       開催日時:2021年1月26日(火)10:30~16:30
       受 講 料:51,000円(税込) ※ 資料付
       会  場:【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。 

<Webセミナーのご説明>
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
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講 師

岩室 憲幸 氏  筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)
 
<講師略歴>
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)。富士電機㈱に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事、
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事、
2009 年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

専 門:
Si-IGBT/Diode ならびにSiC-MOSFET/SBDデバイス研究開発

学会活動:
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。
パワー半導体国際シンポジウム (ISPSD) 2017 Steering Committee Member。
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)。

著 書:
1.「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」,科学情報出版
2.「世界を動かすパワー半導体 ‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」,編集委員,電気学会出版

セミナーの趣旨

 2020年、コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは全く不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。最近ではカリフォルニア州が2035年までに州内でのガソリン車の新車販売を禁止するとの発表をするなど、EVシフト化への要求は極めて大きい。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

プログラム

1. パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2. 最新シリコンIGBTの進展
 2-1 10年後のパワー半導体の市場予測
 2-2 シリコンIGBTの今
 2-3 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
 2-4 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
 2-5 IGBTの進展を支える実装技術の進展

3. SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのシリコンに対する利点
 3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
 3-8 なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか?
 3-9 SiC-MOSFET作成プロセス
 3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-11 最新SiC-MOSFET開発動向

4. GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-5 Current Collapse現象メカニズム
 4-6 最新GaN-HEMT開発動向
 4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

5. 高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か?
 5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6. まとめ

受講対象者

 パワーエレクトロニクス開発、パワーデバイス開発ご担当だけだはなく、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者も十分理解できる内容です。教養程度の工学の知識があれば十分理解できるよう、わかりやすく解説します。

学べる事

 ○過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
 ○パワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。
 ○SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。