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※ ウェビナー開始キャンペーン 受講料値下げしました

当該ウェビナーは、同日同時刻の セミナー を【ライブ配信】のみの開催に変更し、受講料を値下げしました。

CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】 のご案内

       開催日時:2020年6月16日(火)12:30~16:30 
       受 講 料:45,000円 + 税  * 資料後日郵送
          *メルマガ登録者 38,000 円 + 税(20%引き)
          *アカデミック価格 24,000 円 + 税
         パンフレット

※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。 詳細は  こちら  をご覧ください。
 ★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
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講 師

 小野 倫也 氏  神戸大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻 教授

【講師経歴】
 1997年3月 大阪大学 工学部 精密工学科 卒業
 2001年3月 大阪大学大学院 工学研究科 精密科学専攻 博士後期課程 修了
 2001年4月 大阪大学大学院 工学研究科 助手
 2007年2月 ドイツ・ユーリッヒ研究センターフンボルト研究員(兼任)
 2007年4月 大阪大学大学院 工学研究科 助教
 2013年10月 科学技術振興機構さきがけ 研究員(兼任)
 2014月10月 筑波大学 計算科学研究センター 准教授
 2019月4月 神戸大学大学院 工学研究科 教授

【研究歴】
 1997年~ 第一原理計算をデバイス設計に応用すべく、これまでの第一原理計算法とは異なる新しい第一原理数値計算手法として、実空間差分法に基づく計算手法とこれに基づく計算コードRSPACEの開発に従事。
 2007年~ RSPACEをスピントロニクスデバイスのシミュレーションに使えるようにすべく、高精度化に従事。
 2013年~ RSPACEを用いてSiC-MOSの界面電子状態・伝導特性解析に従事し、SiC-MOSのキャリア移動度低下が、界面欠陥準位だけでなく伝導帯端の空間的な揺らぎでも起こることを発見。
 2014年~ RSPACEを京コンピュータやOakforest-PACSで実行し、大規模第一原理伝導計算を実現。
 2019年~ RSPACEを用いたマテリアル・デバイスデザインに従事。

【所属学会】
 日本物理学会、応用物理学会、日本表面真空学会

【著 書】
 K. Hirose, T. Ono, Y. Fujimoto, S. Tsukamoto:First-Principles Calculations in Real-Space Formalism – Electronic Configurations and Transport Properties of Nanostructures -, Imperial College Press, London, (2005).
 計算機マテリアルデザイン入門,大阪大学出版会,(2005),分担執筆。
 超精密加工と表面科学,大阪大学出版会,(2014),分担執筆

セミナーの趣旨

 計算機の高性能化が進むなか、第一原理に基づく電子状態計算は、新規マテリアルの開発やデバイスの設計に有力なツールとなりつつある。近年では、機械学習やAIと結びつき、多くのパラメータ空間の中から要求される物性を持つマテリアルや機能を示すデバイスを見つけ出すことも可能になりつつある。本セミナーでは、物性解析・機能予測の根幹をなす第一原理計算の基礎知識と応用例を紹介する。

セミナー対象者

 企業の研究開発部門において、第一原理計算コードを使う研究者
 実験的手法を用いて、ナノ構造の構造・機能解析、新規マテリアル・デバイス設計に携わる研究者

セミナーで得られる知識

 ナノ構造の電子状態と電気伝導に関する知識
 密度汎関数理論に基づく第一原理電子状態・電気伝導特性計算法に関する基礎とその応用例に関する知識
 第一原理計算に用いられる最先端計算機に関する知識

プログラム

          ※ 適宜休憩が入ります。
Ⅰ. 物質の電子状態と電子状態計算法
 Ⅰ-1. 物質の電子状態
 Ⅰ-2. 密度汎関数理論
 Ⅰ-3. 電子状態の数値計算法

Ⅱ. ナノ構造の電子状態と電気伝導
 Ⅱ-1. ナノ構造の電子状態
 Ⅱ-2. 結晶中の電気伝導
 Ⅱ-3. ナノデバイス中の電気伝導

Ⅲ. 第一原理計算によるマテリアル・デバイス機能解析と予測の応用例
 Ⅲ-1. 表面・界面系の電子状態解析と予測
 Ⅲ-2. 分子デバイスの電気伝導特性解析と予測
 Ⅲ-3. 表面・界面におけるキャリア散乱解析と予測
 
 

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