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CMCリサーチセミナーのご案内

       開催日時:2019年12月12日(木)10:30~16:30 
       会  場:ちよだプラットフォームスクウェア ミーティングルーム B1F
            〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21  → 会場へのアクセス 
       受 講 料:45,000円 + 税    ※ 資料・昼食付
             * メルマガ登録者は 40,000円 + 税
             * アカデミック価格は 24,000円 + 税
            パンフレット
 
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講 師

 倉地 育夫 氏  ㈱ケンシュー 代表取締役 工学博士

【講師経歴】
 1997年3月 名古屋大学工学部 合成化学科 卒業
 1979年3月  同 大学院 工学研究科 応用化学専攻 博士課程 前期修了
 1983年4月 科学技術庁 無機材質研究所留学(1984年10月まで)
 1992年9月 学位取得(工学博士; 私立中部大学)
 1979年4月 ブリヂストンタイヤ入社(現; ブリヂストン)
 1984年11月 ブリヂストン研究開発本部復職
 1991年9月 ブリヂストン退社
 1991年10月 コニカ 第四開発センター入社(主任研究員)
 1993年4月 福井大学工学部客員教授
 1993年11月 コニカ 感材技術研究所主幹研究員
 1998年6月 同社MG開発センター主幹研究員
 2001年8月 同社中央研究所所長付主幹研究員
 2005年8月 コニカミノルタビジネステクノロジーズ 生産本部 生産技術センターデバイス技術部第3デバイスグループリーダー
 2008年10月 同社生産技術センターデバイス技術部担当部長
 2009年4月 同社開発本部化製品開発センター機能部材開発部担当部長
 2011年3月 コニカミノルタビジネステクノロジーズ定年退社(57歳)
 2011年3月 ケンシュー設立 代表取締役社長就任(現在に至る)

【受賞歴】
 2000年5月 第32回日本化学工業協会技術特別賞受賞
 2004年5月 写真学会ゼラチン賞受賞
 その他 ブリヂストンの超高純度βSiC半導体技術が日本化学会化学技術賞受賞

【活 動】
 高分子学会代議員、高分子同友会開発部会世話人、日本化学会代議員、日本化学会産学交流委員会シンポジウム分科会主査、同委員長、日本化学会春季年会講演賞審査委員長など、共著多数

セミナーの趣旨

 高分子の物性改良を目的としフィラーを添加するが、この時パーコレーション転移のため物性がばらつく。
 絶縁体高分子に導電性フィラーを添加して半導体高分子を設計する場合に、それが顕著に表れ、目的とする導電性の値を安定に得られないことがある。力学物性の改良を期待してフィラーを添加した時も同様に目的とする補強効果が現れなかったり、力学物性が大きくばらついたりする。
 パーコレーション転移については数学者により古くから議論されてきたが、高分子材料分野にその考え方が導入されたのは1990年代になってからである。それ以前は、混合則(複合則)でこの現象を議論してきた。
 パーコレーション理論の数学的説明が難解だったので普及が遅れたと思われるが、本セミナーではシミュレーションと二つの開発事例を用いて、パーコレーション転移の考え方をわかりやすく解説するとともに、それを制御するための材料設計の手法まで開示する。
 なお、本セミナーでは塗布と混練分野の事例で説明するが、その時プロセシングの効果についても過去の複数の学会で発表されたデータを用いて実践的に解説するとともに、新しい混練技術であるカオス混合についても触れる。

セミナー対象者

 新入社員から中堅社員までを対象に解説するが、開発担当の管理者が受講しても面白い内容で構成している。

セミナーで得られる知識

 高分子材料の電気電子物性評価法について知識を得ることができる。

プログラム

  ※ 適宜休憩が入ります。

1. パーコレーション転移について
 (1)パーコレーション(浸透)理論概説
 (2)簡便なシミュレーション手法
 (3)複合則(混合則)との比較

2. 高分子材料の複合化と物性
 (1)高分子材料技術概説
 (2)混練プロセスとパーコレー ション転移
 (3)カオス混合について
 (4)高分子材料のインピーダンス

3. フィルムの帯電防止技術とパーコレーション転移
 (1)導電性ナノ粒子を用いたフィルムの帯電防止技術
 (2)プロセシングと配合設計によるパーコレーション転移制御
 (3)インピーダンス測定によるパーコレーション転移閾値評価
 (4)パーコレーション転移の崩壊による導電性劣化
 (5)引張試験によるパーコレーション転移の崩壊現象観察

4. 複写機部品とパーコレーション転移
 (1)導電性カーボンを用いたWパーコレーション転移制御技術
 (2)シミュレーションによる考察
 (3)プロセシング技術の効果

5. まとめ
 

 

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