化学品の市場調査、研究開発の支援、マーケット情報の出版

基礎から研究・開発の最先端情報まで

S&T出版セミナー

       開催日時:2017年12月8日(金)12:30~16:40
       会  場:高橋ビルヂング(東宝土地(株)) 会議室
            東京都千代田区神田神保町3-2   → 会場へのアクセス 
       受 講 料:46,000円(税込) ※ 資料付

セミナーの趣旨

 SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を、当該技術を主導する2名の講師が解説します。

プログラム


第1部 12:30~15:30
酸化ガリウムパワーデバイスの研究・開発動向


東脇 正高 氏
(国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター センター長

<講師略歴>
平成10年 大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士(工学)
平成10~12年 日本学術振興会 博士特別研究員
平成12年 郵政省通信総合研究所 研究員 [平成16年4月 (独)情報通信研究機構に改組]
平成19~22年 米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校 プロジェクト研究員 (情報通信研究機構より転籍出向)
平成22年 情報通信研究機構へ復帰 主任研究員、総括主任研究員を経て、平成25年よりセンター長、現在に至る

<受賞歴>
平成17年 第27回応用物理学会論文賞(JJAP論文奨励賞)
平成18年 第28回応用物理学会論文賞
平成19年 The Young Scientist Award of the 2007 International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
平成21年 丸文研究奨励賞
平成25年 第27回フジサンケイビジネスアイ 先端技術大賞 特別賞
平成27年 第11回日本学術振興会賞
 

 


 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題などについて解説する。

1. はじめに
 1.1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
 1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途

2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
 2.1 単結晶バルク融液成長
 2.2 単結晶Ga2O3ウェハー

3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
 3.1 オゾンMBE成長
 3.2 プラズマMBE成長
 3.3 HVPE成長

4. Ga2O3トランジスタ開発
 4.1 横型MESFET
 4.2 横型DモードMOSFET
 4.3 横型フィールドプレートMOSFET
 4.4 横型EモードMOSFET
 4.5 縦型DモードMOSFET (CAVET)
 4.6 海外のGa2O3トランジスタ開発動向

5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
 5.1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
 5.2 縦型フィールドプレートSBD

6. まとめ、今後の課題

      【質疑応答・名刺交換】
 

 


第2部 15:40~16:40
コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)半導体の特性とデバイス応用


金子 健太郎 氏
京都大学 工学研究科 附属光・電子理工学教育研究センター 助教

<講師略歴>
2013年3月 京都大学大学院工学研究科 電子工学専攻 博士課程 修了
博士(工学)取得 (指導教員:藤田静雄教授)
同年4月-12月 日本学術振興会 特別研究員 (PD)
(受入研究者: 京都大学大学院工学研究科 田中勝久教授)
2014年1月-現在 京都大学大学院工学研究科 助教 (藤田静雄研究室)

【活動】
2011年3月 ㈱FLOSFIA 共同創業

【主な受賞歴】
2012年  応用物理学会 講演奨励賞
2012年  EMS賞
2015年  井上研究奨励賞
2015年  船井研究奨励賞
2016年  エヌエフ基金 研究開発奨励賞&優秀賞
2017年  高柳健次郎研究奨励賞
2017年  京都SMI中辻賞
2017年  本多記念研究奨励賞
2017年  安藤博記念学術奨励賞
他6度受賞
 

 


 本講座は、新しいパワーデバイス材料として注目を浴びている酸化ガリウム、特に最近目覚ましく開発が進んでいるα-Ga2O3の物性とデバイス開発について講義する。α-Ga2O3 SBDは世界最小のオン抵抗値を示すだけでなく、デバイス作製のコストがSi SBD並みに低い。さらにp型半導体α-Ir2O3と良好な半導体接合を形成出来、次世代のバイポーラトランジスタとしても大変ホットな材料である。

1. コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)の基礎
 1.1 α-Ga2O3 研究の歴史 (最初の発見から作製の歴史)
 1.2 α-Ga2O3の物性と特徴
 1.3 パワーデバイス材料としてのα-Ga2O3の利点

2. α-Ga2O3の作製方法
 2.1 粉体作製
 2.2 薄膜作製 (ミストCVD法)
 2.3 バルク(自立膜)作製 (MIST EPITAXY(R)法)

3. α-Ga2O3を用いたパワーデバイス応用
 3.1 高品質α-Ga2O3 薄膜の作製
  (1) α-Ga2O3の構造評価
  (2) α-Ga2O3の導電性制御
  (3) コランダム構造酸化物混晶 α-(Al,Ga,In)2O3による積層構造の作製
 3.2 コランダム構造 α-Ga2O3 自立基板を用いたSBDの作製
  (1) MIST EPITAXYR法によるα-Ga2O3自立膜の作製と構造評価
  (2) α-Ga2O3-SBDのデバイス特性
 3.3 新しいp型半導体酸化ロジウム(α-Rh2O3)と酸化イリジウム(α-Ir2O3)
  (1) α-Rh2O3のキャリア密度低減手法
  (2) α-Ir2O3の構造評価と電気特性

      【質疑応答・名刺交換】