化学品の市場調査、研究開発の支援、マーケット情報の出版

 
* 本ウェビナーは開催済みです。再開催のご要望があれば、お知らせください。

        再開催を希望   

CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】

       開催日時:2025年11月4日(火)13:30~16:30 
       受 講 料:44,000円(税込)  * 資料(PDF)付
          *メルマガ登録者 39,600円(税込)
          *アカデミック価格 26,400円(税込)
         パンフレット

※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
   → https://zoom.us/test
 ★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
 ★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。
 ★ お申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。

講 師

 山本 秀和 氏  グリーンパワー山本研究所

【講師経歴】
 1984年3月 北海道大学大学院 工学研究科 博士後期課程修了(工学博士)
 1984年4月から 三菱電機にてSi-LSI、パワーデバイス等の開発に従事
 2010年3月 退職
 2010年4月から2022年3月まで 千葉工業大学 教授
 2015年6月から パワーデバイスイネーブリング協会理事
 2022年4月から 千葉工業大学 非常勤講師
 2022年8月にグリーンパワー山本研究所を開業し、コンサルタント業務に従事

【著 書】
 「パワーデバイス」(単著) コロナ社(2012年2月)
 「半導体LSI技術」(共著) 共立出版(2012年3月)
 「現代電気電子材料」(共著) コロナ社(2013年9月)
 「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」(単著) コロナ社(2015年3月)
 「先端パワーデバイス実装技術」(共著) CMC出版(2021年7月) 他多数

セミナーの趣旨

 次世代パワーデバイスとしてワイドギャップ半導体への期待が高く、試作および少量量産品の性能は良好である。しかしながら、究極にまで洗練されたSiパワーデバイスと比較して、本格的な量産にはコストや信頼性など課題が多く存在している。最も開発が進んでいるSiCパワーデバイスは、海外メーカの躍進に対し日本メーカの存在感は薄い。GaN-HEMTはSiやSiCでは実現不可能な高速デバイスが実現でき実用化もされているが、SiC以上に日本の存在感は薄い。酸化ガリウムパワーデバイスは、唯一日本が主導権を握っており、期待が大きい。本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史から最新動向までを、詳細に解説する。

セミナー対象者

 パワーデバイス開発者、パワーデバイス用結晶開発者、パワーエレクトロニクス機器開発者、半導体技術者検定「2級パワーエレクトロニクス」受検者

セミナーで得られる知識

 パワーデバイスの用途と進化の歴史、
 パワーチップおよびパワーモジュールの構造と製造技術、
 次世代パワーデバイス(SiC、GaN、酸化ガリウム)の優位性と課題、
 パワーデバイス業界の動向、
 日本の地位と海外メーカ(中国、欧米)の動向

プログラム

      ※ 適宜休憩が入ります。

1. パワーデバイスの概要
 1-1. パワーデバイスの用途
 1-2. Siパワーデバイスの進化
  
2. SiCパワーデバイス
 2-1. SiCパワーデバイスの優位性
 2-2. SiC単結晶/ウエハ製造の課題
 2-3. SiCパワーデバイス性能および信頼性の課題
  
3. GaNパワーデバイス
 3-1. GaNパワーデバイスの優位性
 3-2. GaNパワーデバイス用ウエハ製造の課題
 3-3. GaNパワーデバイスの課題
  
4. 酸化ガリウムパワーデバイス
 4-1. 酸化ガリウムパワーデバイスの優位性
 4-2. 酸化ガリウム単結晶製造の課題
 4-3. 酸化ガリウムパワーデバイスの課題
  
5. パワーデバイスの将来展望
 5-1. パワーデバイス業界の動向
 5-2. パワーデバイス業界における日本の地位
  
6. Q&A
  

  
  

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