CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】 のご案内
開催日時:2025年7月9日(水)13:30~16:30
受 講 料:44,000円(税込) * 資料(PDF)付
*メルマガ登録者 39,600円(税込)
*アカデミック価格 26,400円(税込)
パンフレット
※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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講 師
陳 伝トウ 氏
大阪大学産業科学研究所 フレキシブル3D実装協働研究所 特任教授
2012年4月~2015年3月 名古屋工業大学大学院 博士後期課程
2016年10月~2020年3月 大阪大学 産業科学研究所 特任助教
2020年4月~2024年10月 大阪大学 産業科学研究所 フレキシブル3D実装協働研究所 特任准教授
2024年10月~2025年4月 東京都市大学 総合研究所 特任教授
2025年5月~現在 大阪大学 産業科学研究所 フレキシブル3D実装協働研究所 特任教授
【活動・総説】
大型計算機向け論理モジュールや3D-LSI/チップレットに関する研究論文をIEEE、電子情報通信学会、エレクト解説・総説
【総説】パワー半導体へ向けた焼結接合最新技術
陳 伝彤、菅沼 克昭,クリーンテクノロジー、日本工業出版、33(9) 30-35,2023.
【総説】パワー半導体の接合技術の現状と今後-SiCに対応する新しい材料の実装技術 陳 伝彤、菅沼 克昭,工業材料(EngineeringMaterials),70(1) 25-30,2022.
【解説】次世代パワー半導体向け銀焼結接合技術の開発と大面積銅接合
陳 伝彤、菅沼 克昭,マテリアルステージ,㈱技術情報協会,23(5) 48-53,2023.
【解説】Ag焼結接合による異種材接合によるパワーモジュール構造の新展開(特集最近のデバイス・装置の技術開発)
陳 伝彤、菅沼 克昭,化学工業社ケミカルエンジニヤリング 65(8),475-483,2020
【著書】
1. 書籍:「次世代パワーデバイスに向けた実装材料、技術と熱対策」 第3章第5節《Ag焼結接合による異種材接合による高放熱パワーモジュール構造と信頼性評価》陳 伝彤 (株)技術情報協会、2024年8月 (ISBN:978-4-86798-030-9)
2. 書籍:「次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発」 第6節《銀塩焼結接合技術の開発と大面積銅板接合》 陳 伝彤,菅沼 克昭 (株)技術情報協会、頁275-283,2023年4月発行 (ISBN:978-4-86104-951-4)
3. 書籍:「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」 第1章《次世代パワー半導体に求める実装技術》 陳 伝彤,菅沼 克昭 (エヌ・ティー・エス出版,2022年2月 (ISBN:9784860437671)
4. 書籍:「金属ナノ粒子、微粒子の合成、調製と最新応用技術」 第5章:《銀ミクロンフレークペーストによる接合プロセスとパワーモジュールへの応用》 陳 伝彤,菅沼 克昭 (㈱技術情報協会出版,2021年10月 (ISBN:978-4-86104-862-3)
5. 書籍:「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」 第1章:《パワーモジュールのための接合技術》 陳 伝彤,菅沼 克昭 (シーエムシー出版,2021年8月 (ISBN:978-4-7813-1613-0)
6. 書籍:「自己修復・形状記憶材料の開発と応用事例」 第3章:《SiCパワー半導体用銀焼結接合材料の亀裂の自己修復》 陳 伝彤,菅沼 克昭 (㈱技術情報協会,2020年3月 (ISBN:978-4-86104-781-7)
セミナーの趣旨
SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ(WBG)半導体材料を利用し、省エネ高効率化と小型軽量化の双方を兼ね備えるパワーデバイスの実現には、実装の長期信頼性構築が不可欠である。そのため、WBGパワーデバイスが曝される200℃~300℃の高温度領域でも動作保証する放熱材料、構造、冷却技術の革新的な技術の開発と信頼性評価が必要となる。この講座では高耐熱と高熱伝導率の焼結ペーストを紹介し、異なる異種材との接合の特徴、またそれによる接合構造の新展開、構造信頼性と大面積接合をわかりやすく、解説する。また、焼結ペーストにより3D先端半導体構造とCuピラー接合と構造信頼性評価も解説する。
セミナー対象者
・ 次世代WBGパワー半導体の実装技術や構造設計、熱設計、構造信頼性評価などに携わる方
・ パワーデバイス、パワーモジュール、先端半導体を扱う電子部品、電子機器、電装品ほか関連部門の方
セミナーで得られる知識
・ 次世代パワーモジュール構造と実装に関する基礎知識
・ 銀焼結接合技術と異種材界面接合技術
・ 高放熱パワーモジュール構造設計
・ WBGパワーモジュール信頼性評価と劣化特性
・ 低応力高信頼性のパワーモジュール構造設計方針
・ 電子機器実装に関する熱設計
・ 3D先端半導体構造とCuピラー接合
プログラム
※ 適宜休憩が入ります。
1.1 WBGパワー半導体の特徴
1.2 WBGパワーモジュールの構造および開発動向
2.高温向けに求める実装技術
2.1 鉛フリーはんだと固液相接合
2.2 金属粒子焼結接合
3.銀粒子焼結接合技術と異種材界面の接合
3.1 銀粒子焼結接合技術の特徴
3.2 新型ミクロンサイズ銀粒子の低温焼結
3.3 異種材界面接合とメカニズム
4.パワーモジュールの構造信頼性評価
4.1 銀焼結接合構造の高温信頼性評価
4.2 高温放置中に銀焼結層の粗大化防止
4.3 銀焼結接合構造の熱サイクル劣化特性分析
5.低応力発生パワーモジュール構造設計
5.1 低応力発生パワーモジュール構造必要な実装要素
5.2 新型低熱膨張係数Ag-Si複合材料の信頼性
5.3 新型低弾性率Ag-Al複合材料の信頼性評価
6.高放熱パワーモジュール構造の開発
6.1 オール銀焼結接合の放熱性能評価
6.2 銀焼結の信頼性評価と劣化特性
7. 3D先端半導体Cuピラー接合
7.1 3D先端半導体
7.2 銀膜によりCuピラー接合
7.3 金属粒子焼結によりCuピラー接合