CMCリサーチウェビナー【ライブ配信】 のご案内

　　　　　　　開催日時：2025年6月30日（月）13:30～16:30　
　　　　　　　受 講 料：44,000円（税込）　　＊ 資料付
　　　　　　　　　　＊メルマガ登録者　39,600円（税込）
　　　　　　　　　　＊アカデミック価格　26,400円（税込）
　　　　　　　　　パンフレット

※ 本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
　お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
　 　→ https://zoom.us/test
　★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
　★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込かつ申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。
　★ お申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
　
お申し込み受付中

申込方法

　ウェビナー参加のお申込は、下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお願いします。
　セミナーお申し込み前に必ず 　こちら　 をご確認ください。

講　師

姚　永昭 氏
三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター　教授
【講師経歴】
　2007年、筑波大学 数理物質科学研究科 物質材料工学専攻修了、博士号取得
　2008～2009年、物質材料研究機構ポスドク
　2009～2024年、ファインセラミックスセンター、上級研究員を経て主任研究員、機能性材料グループ長
　2024年4月より三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター 教授、（兼）工学部 電気電子工学科 教授

【活動】
　一貫して次世代のパワーデバイス用ワイドギャップ化合物半導体の結晶評価法の開発に従事。
　応用物理学会、先進パワー半導体分科会に所属

セミナーの趣旨

　4H-SiC、GaN、β-GaO、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度や低損失、高温での安定性など、従来の半導体に比べて優れた性能を有しており、近年、これらの材料を利用した次世代のパワーデバイスの研究開発が大きな進展を遂げている。しかしながら、強い共有結合をもつため、材料の結晶成長が困難で成長後の結晶中に転位等の格子欠陥が高密度に含まれる。格子欠陥の一部はデバイスの性能と信頼性を損ねるため、欠陥分布と種別を正確に取得した上で、デバイス特性を大きく低下させるキラー欠陥を特定し、その情報を結晶成長とデバイス作製にフィードバックすることが極めて重要である。本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説する。各手法の適用範囲と課題を説明するとともに、新たな手法開発の取り組みとして、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡などの最新評価事例を紹介する。

セミナー対象者

　半導体結晶の欠陥評価に従事する研究者と技術者

セミナーで得られる知識

　・結晶の構造
　・結晶中の欠陥
　・欠陥の評価方法
　・欠陥のデバイスに与える影響

プログラム

　　　　　　※ 適宜休憩が入ります。
1.　はじめに
　1-1　パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
　1-2　結晶中の欠陥
　1-3　欠陥評価手法とその適用範囲
　　
2.　結晶評価手法
　2-1　選択性化学エッチング（エッチピット法）
　2-2　透過型電子顕微鏡
　2-3　多光子励起顕微鏡
　2-4　X線回折とX線トポグラフィー 2-5 その他の手法
　　
3.　デバイスの評価
　3-1　デバイス中の欠陥
　3-2　デバイス中の欠陥の評価方法
　3-3　欠陥のデバイスに与える悪影響
　　
4.　まとめ
　　
　　

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