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こちらは1/31実施WEBセミナーのアーカイブ(録画)配信です。期間中何度でも視聴できます

R&D支援センターウェビナー【アーカイブ配信】のご案内

       配信開始日:2024年月日(月)
       配信終了日:2024年月日(月)
       参 加 費:55,000円(税込)

備 考

・こちらは1/31実施WEBセミナーのアーカイブ(録画)配信です。
・配信開始日までにセミナー資料、閲覧用URL(※データの編集は行っておりません)をお送りします。
・セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
 
お申し込み受付中

申込方法

 下記のカートへの投入、あるいはFAX用紙にてお申込ください。

 FAX申込用紙PDF 

講 師

駒形技術士事務所 研究開発部 所長  駒形 信幸 氏

【専門】
半導体デバイス

【略歴】
・日本技術士会正員
・応用物理学会正員
(フォト二クス分科会、応用電子物性分科会、薄膜・表面物理分科会、結晶工学分科会、超電導分科会、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会、プラズマエレクトロニクス分科会、シリコンテクノロジー分科会、先進パワー半導体分科会所属)
・電子情報通信学会正員
(基礎・境界ソサイエティ、通信ソサイエティ、エレクトロニクスソサエティ、情報システムソサイエティ、ヒューマンコミュニケーショングループ所属)

受講対象・レベル

 半導体デバイス開発・設計の実務に携わる若手および中堅技術者の方

必要な予備知識

 MS Excelの基本操作が出来ること。

習得できる知識

 半導体デバイス開発・設計のための基礎知識が習得できる。

趣 旨

 最新のMOSトランジスタ開発は、高速化・高集積化を追求し、従来のプレーナ型から3次元構造のFinFETやナノシートFETへと進んでいます。これらの3次元構造のMOSFETの開発や設計は、コンピューターシミュレーションを使用して行われるようになってきました。
しかし、これらのシミュレーションにおいても、パラメータの設定には、従来のプレーナ型MOSFET設計やバイポーラトランジスタで培った半導体知識が必要です。
 半導体デバイスの学習は、どうしても数式の導出や羅列が多く、学習意欲が損なわれがちです。そのため、半導体特性計算のコツや半導体物理の基礎、PN接合、MOS構造、MOSトランジスタの特性について、MS Excelを使った計算演習を通じて数値的な実感を持ってもらいます。
 また、なぜCMOSが使われるのかという基礎的な理解にも言及し、従来形のMOSFETから最新のMOSFET開発への橋渡しを行います。

プログラム

1.半導体基礎
 1-1.結晶構造と結晶方位
 1-2.CGS単位とSI単位、物理定数
 1-3.シリコンの定数
  
2.電子の運動とバンド構造
 2-1.電子の運動
  (1)粒子と波動
     ①スリットと干渉
     ②金薄膜の回折
 2-2.エネルギー準位の量子化
  (1)ボーアの水素原子模型
  (2)バンド構造
  (3)結晶のバンド構造
     ①状態密度関数
     ②パウリの排他則とフェルミ‐ディラック分布
      1)パウリの排他則
      2)フェルミ‐ディラック分布
       ●フェルミ準位とは
      3)キャリアのエネルギー分布
 2-3.各種固体のバンド構造
  (1)金属
  (2)半導体
  (3)絶縁体
 2-4.半導体のエネルギー準位図
  (1)各種バンドの表し方
     ①エネルギーと位置
     ②エネルギー分布と位置
     ③エネルギーと波数k
  (2)真性半導体
  (3)N形半導体
  (4)P形半導体
  
3.キャリアの運動
 3-1・ドリフトと拡散
  (1)ドリフト移動度
  (2)キャリアの拡散
  (3)アインシュタインの関係式とキャリアの拡散長
  (4)演習①(キャリアの拡散長計算)
  
4.PN接合
 4-1.PN接合のバンド構造
 4-2.PN接合の電流-電圧特性
  (1)計算式
  (2)演習②(飽和電流の計算等)
 4-3.空乏層の拡がり
  (1)階段接合
  (2)傾斜接合
  (3)演習③(空乏層の拡がり計算)
  
5.不純物濃度の求め方
 5-1.キャリア濃度から
 5-2.体積抵抗率とキャリア濃度の関係グラフ
  (1)演習④(不純物濃度の求め方演習)
 5-3.ドーズ量と接合深さから
 5-4.一般的な文献値から
  
6.MOS素子基本特性
 6-1.MOS構造
 6-2.ゲートバイアスと反転層の形成
  (1)電荷蓄積層の形成
  (2)空乏層の形成
  (3)反転層の形成
  (4)演習⑤(しきい値電圧計算)
  
7.MOSトランジスタ
 7-1.MOSトランジスタ電流-電圧の関係式
 7-2.MOSトランジスタの閾値電圧の計算方法
  (1)計算式
  (2)調整方法
  (3)演習⑥(イオン注入によるしきい値電圧調整)
 7-3.耐圧
  (1)ブレークダウン耐圧
     ①アバランシェ降伏(なだれ降伏)
     ②ツェナー降伏
     ③アバランシェ降伏とツェナー降伏の温度特性
  (2)階段接合(無限大平面の場合)のブレークダウン電圧
  (3)空乏層の伸びとブレークダウン電圧の関係
  (4)コーナーRがある場合
  (5)演習⑦(ブレークダウン電圧の計算)
 7-4.アイソレーションと寄生MOS
  (1)寄生MOSのしきい値電圧とチャネルストッパー
  (2)計算式
  (3)演習⑧(寄生 MOSのしきい値電圧の計算)
  
8.CMOSについて
 8-1.CMOS回路の特徴
 8-2.CMOS回路の実際
 8-3.CMOSプロセスと構造
  
9.最新構造のMOSトランジスタへのアプローチ