★ Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説します！

R&D支援センターウェビナー

　　　　　　　開催日時：2023年4月10日（月）12：30～16:30
　　　　　　　開催場所：【WEB限定セミナー】※ 会社やご自宅でご受講ください。
　　　　　　　参 加 費：49,500円（税込）

定　員

　30名

備　考

・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーです。

・セミナー資料は事前にPDFで配布します。紙媒体では送付しません。
セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1）Zoomを使用されたことがない方は、 こちら からミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについては こちら をご覧ください。
3）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。2営業日前までに招待メールが届いていない場合はR&D支援センターまでご連絡下さい。迷惑メールフォルダもご確認下さい。

講　師

グリーンパワー山本研究所　所長　　山本 秀和 氏
　兼　FTB研究所　特別顧問
　兼　パワーデバイスイネーブリング協会　理事
　兼　千葉工業大学　非常勤講師、共同研究員

＜ご専門＞
　半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス

＜学協会＞
　パワーデバイスイネーブリング協会

＜ご略歴＞
　1984年3月　北海道大学大学院博士後期課程修了（工学博士）
　1984年4月　三菱電機(株)入社（2010年3月退社）
　2010年4月　千葉工業大学 教授（2022年3月退職）
　2015年6月　パワーデバイスイネーブリング協会 理事
　2022年4月　FTB研究所　特別顧問
　2022年4月　千葉工業大学　非常勤講師
　2022年8月　グリーンパワー山本研究所　所長
　2022年8月　千葉工業大学　付属研究所　共同研究員

受講対象・レベル

・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者　

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位　

趣　旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状90％以上がSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイス性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
　本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について解説します。

プログラム