めっきプロセス用レジストマスクの最適化とトラブル対策【Webセミナー】

～形状・寸法安定化、付着・剥離、気泡・欠陥対策～

S&T出版ウェビナー

　　　　　　　開催日時：2022年9月2日（金）10：30～16:30
　　　　　　　受講料：51,000円（税込）　※ 資料付
　　　　　　　会　　場：【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。　

備　考

＜Webセミナーのご説明＞
本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。
※ ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。
お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。
　
＜禁止事項＞
セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。

配付資料について
本セミナーの資料はPDF形式(電子データ)で配布予定です。
弊社HPからのダウンロードまたはe-mail添付にて開催日前日までにお送りいたします。

講　師

河合　晃氏
長岡技術科学大学　名誉教授
アドヒージョン㈱　代表取締役社長　博士（工学）
　
＜講師略歴＞
　三菱電機㈱ ULSI研究所にて10年間勤務し、電子デバイス開発・試作・量産移管・歩留り・工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度な表面処理技術開発に従事した。その後、長岡技術科学大学にて勤務し、機能性薄膜、表面界面制御、ナノデバイスなどの先端分野の研究を実施している。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。現在、アドヒージョン㈱代表取締役社長として、技術コンサルティング業務を通じて各企業における技術開発支援を行っている。兼務。著書33件、受賞多数、原著論文166報、国際学会124件、特許多数、講演会200回以上、日本接着学会評議員、電気学会、応用物理学会会員、産学連携・技術コンサルティング実績150社以上

セミナーの趣旨

　近年、めっき技術はエレクトロニクス産業における基盤技術として、その重要性が確立されています。半導体デバイスや高周波用プリント基板およびMEMSなどのエレクトロニクスにおいては、主に、配線形成技術として実用化されています。また、高精度な配線やプラグ構造を形成するにはリソグラフィ技術が必要です。この技術では、レジストマスクで設計された領域に限定してめっき層を形成します。レジストマスクはエッチングマスクとしても用いられます。めっきによる配線形状の制御には、レジストマスクの高精度化が不可欠です。本セミナーでは、CuやNiなどの配線材料のめっき技術、およびリソグラフィ技術の基礎およびレジストマスクの高精度化について講演します。また、マスク変形やマスク剥離などのトラブル解決法についても解説します。さらには、ウェットエッチング、金属汚染対策についても言及します。本講座を通じて、初心者にも分かりやすく、基礎から学んでいただけます。また、受講者が抱えている日々のトラブル相談にも応じます。

プログラム

1.　リソグラフィにおけるめっき技術
　・エレクトロニクス産業における位置付け
　　（半導体、高周波プリント基板、FPC、MEMS）
　・配線形成技術としての位置付け
　　（ダマシン、プローブ、プラグ、プリント基板配線、LIGA）
　・基本プロセスフロー（マスク作成、めっき、エッチング、マスク除去）
　・高精度化要因（CAD設計値からのシフト量管理）
　　
2.　レジストマスクの高精度化
2.1　基本プロセスと制御
　・リソグラフィの基礎（トレンド、分解能、アスペクト比）
　・レジスト材料（DFR、液レジ、ネガ、ポジ）
　・レジスト膜形成（HMDS処理、ラミネーター、スピンコート）
　・パターン露光（光回折、光学コントラスト、露光マスク）
　・パターン現像（感度曲線、溶解コントラスト、
　・レジスト除去（ウェット／ドライ、レジスト変質）
　・形状の高精度化（マルチパターニング、逆テーパ、裾引き、T-top対策）
　　
2.2　レジストトラブル対策
　・レジスト剥がれ（界面浸透）
　・形状変形（熱だれ、体積効果）
　・亀裂（環境応力亀裂、応力集中）
　・現像膨潤（内部浸透）
　・ラミネーティング歪み（結晶化歪み）
　・形状異常（逆テーパ、T-top対策、裾引き）
　　
3.　めっき技術の高精度化
3.1　基本プロセス
　・電解／無電解めっき（Cu、Niめっき）
　・めっき液の濡れ性制御（表面エネルギー）
　・シーズ層形成（核生成）
　・不働態膜形成（ｐH－ポテンシャル図）
　・めっき膜性質（結晶成長）
　　
3.2　めっきトラブル対策
　・膜はく離（界面付着性）
　・気泡発生（濡れ性対策）
　・ブリスター（ガス発生）
　・クラック（応力マッチング）
　・ひさし（界面浸透、表面エネルギーバランス）
　・電極腐食（ダマシン、水素水処理）
　・重金属汚染（RCA洗浄）
　　
4.　めっき層のウェットエッチング
　・エッチング機構（律速過程）
　・腐食電位（アノード／カソード反応）
　・電位－ｐH図（不働態膜）
　　
5.　参考資料
　・濡れ性トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
　・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）
　　
6.　質疑応答
　　日頃の開発・トラブル相談に個別に応じます。
　　