化学品の市場調査、研究開発の支援、マーケット情報の出版

CMCリサーチセミナーのご案内

       開催日時:2019年6月20日(木)13:30~16:30 
       会  場:ちよだプラットフォームスクウェア ミーティングルーム 5F 会議室503
            〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21  → 会場へのアクセス 
       受 講 料:48,000円(税込) ※ 資料代含
             * メルマガ登録者は 43,000円(税込)
             * アカデミック価格は 25,000円(税込)
            パンフレット
 
 ★ アカデミック価格:学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
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申込方法

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講 師

 藤岡 洋 氏  東京大学 生産技術研究所 教授

【講師経歴】
 東京大学工学部卒、カリフォルニア大学バークレー校 博士課程終了、富士通㈱勤務、東京大学工学系研究科助手、講師、助教授を経て東京大学生産技術研究所教授

【研究歴】
 Si半導体集積回路製造プロセスに関する研究、化合物半導体結晶成長に関する研究、化合物半導体発光素子および電子素子に関する研究

【所属学会】
 応用物理学会フェロー、日本結晶成長学会評議員、日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会委員長

セミナーの趣旨

 マイクロLEDは有機ELのディスプレーを置き換える次世代表示素子技術として大きな注目を集めている。マイクロLEDディスプレーを実用化するためには、安価な大面積基板上にGaN-LED アレイを作製する技術を開発する必要があるが、本セミナーではスパッタリングによる窒化ガリウム成長技術を用いた大面積フレキシブルマイクロLED作製の可能性について、この分野に関する専門知識のない技術者にもわかるように平易に解説する。

セミナーで得られる知識

 窒化物LEDを用いてマイクロLEDディスプレーを実現するための現時点における技術的問題点、その解決策の一例としてのスパッタ成膜技術、今後の技術的展望など

プログラム

  ※ 適宜休憩が入ります。

1 開発の背景
 1.1 表示素子の技術的流れ
 1.2 マイクロLEDの重要性
 1.3 マイクロLED製造の技術的問題点
 1.4 スパッタGaN成長技術の利点

2 スパッタ法によるGaNの成長技術
 2.1 スパッタGaN薄膜の構造的特徴
 2.2 スパッタGaN薄膜の電気的特徴
 2.3 スパッタGaN薄膜の光学的特徴

3 スパッタ法を用いて試作したGaN素子の特性

 3.1 スパッタGaNLED素子の特性
 3.2 スパッタGaNHEMT素子の特性
 3.3 スパッタGaNMISFET素子の特性
 3.4 スパッタGaNパワー素子の特性
 3.5 スパッタGaN受光素子の特性

4 スパッタ法を用いて低価格基板上に試作したGaN素子の特性
 4.1 GaN成長用低価格基板
 4.2 金属フォイル上に作製したGaNLED素子
 4.3 ガラス基板上に作製したGaNLED素子
 4.4 ポリマーフィルム上に作製したGaN素子
 
 

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