～ 薄膜形成の原理から、最新の応用展開の状況まで ～
　
＊　本セミナーは開催済みです。再開催のご要望があれば、お知らせください。

　　　　　　　　再開催を希望　　　

CMCリサーチセミナー

　　　　　　　開催日時：2018年7月12日（木）10:30～16:30　
　　　　　　　会　　場：中央大学駿河台記念館　350教室　　→ 会場へのアクセス　
　　　　　　　　　　　　〒101-8324　千代田区神田駿河台3-11-5
　　　　　　　受 講 料：50,000円（税込）　※ 昼食代・資料代含
　　　　　　　　　　　　　＊ メルマガ登録者は 45,000円（税込）
　　　　　　　　　　　　　＊ アカデミック価格は 15,000円（税込）
　　　　　　　　　　　　パンフレット
　
　★ アカデミック価格：学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
　★ 【メルマガ会員特典】2 名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、2人目以降はメルマガ価格の半額です。
　★ セミナーお申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
　

講　師

　霜垣幸浩 氏　　東京大学大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授

【講師経歴】
　1989年　東京大学 工学部 化学工学科 助手
　1991年　東京大学 工学部 化学工学科 講師
　1997年　東京大学 大学院 化学システム工学専攻 助教授
　1998年　東京大学 大学院 金属工学専攻 助教授
　2001年　東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 助教授 (改組)
　2011年　東京大学 大学院 マテリアル工学専攻 教授
　1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
　2007年より,化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与, 2014年 開催 ALD国際学会実行委員長

セミナーの趣旨

　Atomic Layer Deposition（ALD、原子層堆積法）による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition（CVD、気相薄膜形成法）と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
　このため、本講座では、第1部で各種の薄膜作成の基礎を概説、第2部でALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、第3部ではALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

セミナー対象者

　CVD/ALD法を基礎から学びたい研究者・技術者、エッチングへの応用としてのALEtに興味のある、研究者・技術者

セミナーで得られる知識

　・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
　・前記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発
　・解析能力・エッチングへの応用としてALEt

プログラム

　　※ 適宜休憩が入ります。