酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向

　
＊　本セミナーは開催済みです。再開催のご要望があれば、お知らせください。

CMCリサーチセミナー

　　　　　　　開催日時：2018年3月28日（水）13:30～16:30　
　　　　　　　会　　場：ちよだプラットフォームスクウェア　5F　　→ 会場へのアクセス　
　　　　　　　　　　　　〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21
　　　　　　　受講料：49,000円（税込）　※ 資料代含
　　　　　　　　　　　　　＊メルマガ登録者は 43,000円（税込）
　　　　　　　　　　　　　＊アカデミック価格は 15,000円（税込）
　　　　　　　　　　　　パンフレット
　
　★ アカデミック価格：学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
　★ 【メルマガ会員特典】2 名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、2人目以降はメルマガ価格の半額です。
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講　師

　東脇正高氏　
　情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センターセンター長

【講師経歴】
　平成10年大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）
　平成10～12年日本学術振興会博士特別研究員
　平成12年郵政省通信総合研究所研究員［平成16年4月情報通信研究機構に改組］
　平成19～22年米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校プロジェクト研究員（情報通信研究機構より転籍出向）
　平成22年情報通信研究機構へ復帰主任研究員、総括主任研究員を経て、平成25年よりセンター長、現在に至る

【研究歴】
　学位取得後、一貫して化合物半導体 (InP, GaN, Ga2O3) 電子デバイス開発に従事。

【受賞歴】
　平成17年第27回応用物理学会論文賞（JJAP論文奨励賞）
　平成18年第28回応用物理学会論文賞
　平成19年 The Young Scientist Award of the 2007 International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
　平成21年丸文研究奨励賞
　平成25年第27回フジサンケイビジネスアイ先端技術大賞特別賞
　平成27年第11回日本学術振興会賞

【所属学会】
　応用物理学会、電子情報通信学会、IEEE
　

セミナーの趣旨

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。