化学品の市場調査、研究開発の支援、マーケット情報の出版

CMCリサーチセミナー

       開催日時:2018年3月28日(水)13:30~16:30 
       会  場:ちよだプラットフォームスクウェア 5F  → 会場へのアクセス 
            〒101-0054 東京都千代田区神田錦町3-21
       受 講 料:49,000円(税込) ※ 資料代含
             * メルマガ登録者は 43,000円(税込)
             * アカデミック価格は 15,000円(税込)
            パンフレット
 
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講 師

 東脇正高 氏 
 情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター センター長

【講師経歴】
 平成10年 大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士(工学)
 平成10~12年 日本学術振興会 博士特別研究員
 平成12年 郵政省通信総合研究所 研究員[平成16年4月 情報通信研究機構に改組]
 平成19~22年 米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校 プロジェクト研究員 (情報通信研究機構より転籍出向)
 平成22年 情報通信研究機構へ復帰 主任研究員、総括主任研究員を経て、平成25年よりセンター長、現在に至る

【研究歴】
 学位取得後、一貫して化合物半導体 (InP, GaN, Ga2O3) 電子デバイス開発に従事。

【受賞歴】
 平成17年 第27回応用物理学会論文賞(JJAP論文奨励賞)
 平成18年 第28回応用物理学会論文賞
 平成19年 The Young Scientist Award of the 2007 International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
 平成21年 丸文研究奨励賞
 平成25年 第27回フジサンケイビジネスアイ 先端技術大賞 特別賞
 平成27年 第11回日本学術振興会賞

【所属学会】
 応用物理学会、電子情報通信学会、IEEE
 

セミナーの趣旨

 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

セミナー対象者

 電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方

セミナーで得られる知識

 バルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

プログラム

  ※ 適宜休憩が入ります。

1 はじめに
 1.1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
 1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途

2 Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
 2.1 単結晶バルク融液成長
 2.2 単結晶Ga2O3ウェハー

3 Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
 3.1 オゾンMBE成長
 3.2 プラズマMBE成長
 3.3 HVPE成長

4 Ga2O3トランジスタ開発
 4.1 横型MESFET
 4.2 横型DモードMOSFET
 4.3 横型フィールドプレートMOSFET
 4.4 横型EモードMOSFET
 4.5 縦型DモードMOSFET (CAVET)
 4.6 海外のGa2O3トランジスタ開発動向

5 Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
 5.1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
 5.2 縦型フィールドプレートSBD

6 まとめ、今後の課題